02第二半导体二极管及其基本电路.ppt

第二章 半导体二极管及其基本电路 半导体基本知识 PN结及其特性 半导体二极管特性及其应用 稳压二极管 §2.1 半导体基础知识 3. 半导体 2.1.2 本征半导体 2.本征半导体的共价键结构 共价键性质 3. 电子与空穴 电子与空穴 电子与空穴的复合 空穴的移动 2.1.3 杂质半导体 1. N型半导体 N型半导体结构 2. P型半导体 P型半导体结构 3. 杂质对半导体导电性的影响 本节中的有关概念 2.2 PN结及其特性 1. PN结的形成 PN结的形成 PN结的形成 2. PN结的单向导电性 (1) PN结加正向电压时的导电情况 (2) PN结加反向电压时的导电情况 （3） PN结的伏安特性 3. PN结方程 PN结方程 4. PN结的击穿特性 5 . PN结的电容效应 (1) 势垒电容CB (2) 扩散电容CD 扩散电容CD §2.3 半导体二极管及其应用 2.3.1 半导体二极管的结构类型 二极管的结构 2.3.2 半导体二极管的伏安特性曲线 二极管的伏安特性曲线 (1) 正向特性 (2) 反向特性 反向特性 2.3.3 半导体二极管的参数 半导体二极管的参数 2.3.4 半导体二极管的温度特性 2.3.5 半导体二极管的型号 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 2.3.6 二极管电路及其分析方法 1. 图解法 2. 模型分析法 大信号模型 理想模型 小信号模型 2.3.7 二极管基本应用 二极管基本应用 二极管基本应用 二极管基本应用 2.4 稳压二极管 2.4.1 稳压二极管参数 稳压二极管参数 2.4.2 稳压管应用 稳压管应用 扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因PN结正偏时，由N区扩散到P区的电子，与外电源提供的空穴相复合，形成正向电流。刚扩散过来的电子就堆积在 P 区内紧靠PN结的附近，形成一定的多子浓度梯度分布曲线。 扩散电容示意图 反之，由P区扩散到N区的空穴，在N区内也形成类似的浓度梯度分布曲线。扩散电容的示意图如图所示。 当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。 扩散电容示意图 PN结在反偏时主要考虑势垒电容。 PN结在正偏时主要考虑扩散电容。 半导体二极管的结构类型 半导体二极管的伏安特性曲线 半导体二极管的参数 半导体二极管的温度特性 半导体二极管的型号 稳压二极管 半导体二极管及其分析方法 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。它们的结构示意图如下图所示。 (1) 点接触型二极管— PN结面积小，结电容小， 用于检波和变频等高频电路。 点接触型二极管的结构示意图 平面型 (3) 平面型二极管— 往往用于集成电路制造工 艺中。PN 结面积可大可小，用 于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管— PN结面积大，用 于工频大电流整流电路。 面接触型 半导体二极管的伏安特性曲线如图所示。处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。 根据理论推导，二极管的伏安特性曲线可用下式表示 式中IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的电压降，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。对于室温（相当T=300 K），则有VT=26 mV。 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞0即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当V＞Vth时，开始出现正向 电流，并按指数规律增长。 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS 。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压 。 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时,主要是雪崩击穿；若|VBR|≤4V时, 则主要是齐纳击穿。