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* * * * * * * * * * * * * * * * XRF 激发源: 一次X-Ray e束 EPMA 不必导电,液体可 试样: 微区 导电或镀膜 Be4-U92 相对较低,几百ppm;绝对较高,10-13-10-14g 少量到百分之百 可,必须校正 照射区域: 检测范围: 含量限制: 灵敏度: 定量分析: 展谱方式: 大面积 F9-U92 (C6) 相对较高,几-几十ppm;绝对较低。 微量到百分之百 WDS或EDS 分光(展谱)原理 因试样中所有元素的特征X线同时被激出! 1.WDS:Wave Dispersive Spectroscopy 利用波动性? 逐一展谱 2.EDS:Energy Dispersive pectroscopy 利用粒子性h? 同时展谱 两种展谱方式 二.WDS分光 原理:利用Bragg方程 但几何布置有区别。 EPMA与XRF的WDS分光原理相同, 试样 e束 分光晶体 准直光栏 探测器G 例:常用分光晶体LiF 时,接收到强信号。 则: 为 CoK?1.7901 当 分光晶体: 由Bragg方程 ∴对一定的晶体的(hkl), λ有确定范围 如:LiF 就不适用 λ↑ 晶体d↑, 必须配备多个分光晶体。 ∴对 ?分光晶体选择原则: (2) 同一元素精细结构: 高分辨率 (1) 特征谱线波长相近的元素: ADP(NH4H2PO4) (200) 7.50? SiO2 (101) 6.86? 分光晶体: d↓,θ↑,则 对标准晶体:d不变 分辨率越高。 大?角(接近90o), ∴小面间距晶体, ∴ ∵ **聚焦条件: 线条不宽化,避免重叠 XRF的聚焦方式: ?弯曲晶体置于聚焦圆上以ω绕圆心转 ?探测器置于聚焦圆上以2ω绕圆心转,并自转。 ?符合 探测器G 弯曲晶体 D EPMA聚焦方式: ?弯曲晶体以v直线运动 ?探测器四叶玫瑰园 轨迹运动 ?符合 以上聚焦方式可分辨如: e束 探测器G 弯曲晶体 直进V l *遇下述情况,解决方案: ① ??很小时 改为探测 :AsK? 或 L? Pb L? ②不同级别衍射线重叠 ②不同级别衍射线重叠 可采取在探测器线路中加上PHA 装置来区别 解决办法: PHA: pulse height analysiser 一定能量的光子在PHA中产生电离形成一电压脉冲,这种脉冲高度与hυ成正比 。 晶体分光优点: 分辨率高 1. 分光系统复杂 晶体分光缺点: 2. 元素逐一检测 3. 总的灵敏度不高:XRD效率低;进到计数器就更低;立体角小。 三.EDS X光子作用下, 原子电离产生电子-空穴 对.在反向电压下,电子空 穴对载流子运动,使负载电 阻上产生压降,输出脉冲信号→放大器。 锂漂移硅检测器: 原理: Si(Li)或Ge(Li) P N 中间层 _ + 前 置 放 大 器 平均3.8ev可产生一个电子-空穴对。 →所以不同Z激发检测器的X光子能量及总强度不同,可作元素成份分析及定量。 检测器→等量放大器及主放大器 →多道分析器→存储→显示(屏幕、打印) X光子h?个数(强度)→每秒产生脉冲的次数→通过某道的该数量的X射线强度→定量。 X光子能量h?→一个光子引起的脉冲幅度高度→占多道分析器某道→定性。 0?20Kev, 10ev/每道,2048道 EDS优点: 探测器可与试样离得很近,效率 很高,同时展谱 分辨率较低,目前商品为150ev 。 EDS缺点: 作业: 习题二十一 习题二十四 习题二十三 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 材料显微结构分析方法 清华大学研究生课程 III. 微晶尺寸的XRD测定 一. 基本原理 or ……(29) ……(30) 2? 2?+2?1?2 2?-2?1?2 = 4?1?2 ?hkl 衍射峰半高宽 : ?hkl = 4?1?2 二. 微晶尺寸的XRD测定 1. ?hkl的测定: ?衍射峰实测线形的影响因数: 注意:衍射仪法实际记录到的衍射峰的 实测线形h(2?) ? 由微晶尺寸引起的本征线形 ① 实验条件,如各狭缝; ④ 晶粒的微结构
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