常用半导体器件简介.ppt

IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 特性归纳 输入特性 同二极管的正向特性 UBE ? ? IB? 输出特性 一组曲线（一个IB对应一条曲线） UBE 0， UCE UBE 发射结正偏，集电结反偏 IC = ? IB 电流放大作用 UBE0， IB ? 0 发射结反偏 UBE 0， UCE UBE IC = ? IB 发射结正偏，集电结正偏 无电流放大作用 放大区 截止区 饱和区 1.4.4 主要参数 直流电流放大倍数： 1.电流放大倍数 交流电流放大倍数： 两者非常接近，通常用作： 一般为 20 ~ 200 2.集-射极反向截止电流ICEO ?A ICEO 基极开路时的集电极电流。随温度变化。 所以集电极电流应为： IC= ? IB+ICEO 特点：ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 3.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升