LED基础知识概述.ppt

LED基础知识培训 主讲人: LED基本概念及特性 LED光电参数 LED发展历程及应用 LED现状及前景 LED基本概念及特性 LED基本概念 LED（Light Emitting Diode），发光二极管，简称LED,，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。 LED的实质性结构是半导体PN结，核心部分由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。其发光原理可以用PN结的能带结构来做解释。制作半导体发光二极管的半导体材料是重掺杂的，热平衡状态下的N区有很多迁移率很高的电子，P区有较多的迁移率较低的空穴。在常态下及PN结阻挡层的限制，二者不能发生自然复合，而当给PN结加以正向电压时，由于外加电场方向与势垒区的自建电场方向相反，因此势垒高度降低，势垒区宽度变窄，破坏了PN结动态平衡，产生少数载流子的电注入。空穴从P区注入N区，同样电子从N区注入到P区，注入的少数载流子将同该区的多数载流子复合，不断的将多余的能量以光的形式辐射出去。 可见光谱 光是一定波长范围内的一种电磁辐射。电磁辐射的波长范围很广，最短的如宇宙射线，其波长只有千兆兆分之几米(10-14m至10-16m)，最长的如交流电，其波长可达数千公里。在电磁辐射范围内，只有波长为380nm到780nm的电磁辐射能够引起人的视觉，这段波长叫做可见光谱，如图所示。 图中所标数均以基本单位表示，即频率为赫兹(Hz)，波长为米(m)。由于使用上述单位时，波长的数值太大，有必要使用更小的单位来度量可见光谱的波长，由此采用了标准毫微米(又称纳米，符号为nm)，此处1nm=10-9m。人眼能起视觉反映的最长和最短波长780nm和380nm，它们分别处在光谱的红色端与紫色端。 在电磁辐射范围内，还有紫外线、x射线、γ射线以及 红外线、无线电波等。可见光、紫外线和红外线是原子与分子的发光辐射，称为光学辐射。X射线、γ射线等是激发原子内部的电子所产生的辐射，称为核子辐射。电振动产生的电磁辐射称为无线电波。对于人来说，能为眼睛感受并产生视觉的光学辐射称为可见辐射；不能为眼睛感受，也不产生视觉的光学辐射称为不可见辐射。因而，光学辐射可进一步分为可见辐射和不可见辐射。来自外界的可见辐射刺激人的视觉器官，在脑中产生光、颜色、形状等视觉印象，而获得对外界的认识。不可见辐射刺激眼睛时不能产生视觉，而作用在皮肤上有时会产生其它感觉，如紫外线产生疼痛感觉，红外线产生灼热感觉。严格地说，只有那种能够被眼睛感觉到的、并产生视觉现象的辐射才是可见辐射或可见光，简称光。本文所指的光也就是这个定义上的光。 LED伏安特性 LED的I-V特性表征LED芯片PN结制备性能主要参数，LED通常都具有下图所示的较好的伏安特性。LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。 1.正向截止区：（图oa或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚未克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时电阻很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。 2.正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系，IS为反向饱和电流。V＞0时，V＞VF的正向工作区IF随VF指数上升。 3.反向截止区：V＜0时PN结加反偏压，V=-VR时，GaN反向漏电流IR（V=-5V）为10uA。 4.反向击穿区V＜-VR，VR称为反向电压；VR电压对应IR为反向漏电流。当反向偏压一直增加使V＜-VR时，则出现IR突然增加而出现击穿现象。由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同。 LED的优点 LED的内在特征决定了它是最理想的光源去代替传统的光源，它有着广泛的用途。 体积小 LED基本上是一块很小的晶片被封装在环氧树脂里面，所以它非常的小，非常的轻。 耗电量 LED耗电非常低，一般来说LED的工作电压是2-3.6V。工作电流是0.02-0.03A。这就是说：它消耗的电不超过0.1W。 使用寿命 在恰当的电流和电压下，LED的使用寿命可达10万小时。 高亮度、低热量 比HID或白炽灯更少的热辐射。 环保 LED是由无毒的材料作成，不像荧光灯含水银会造成污染，同时LED也可以回收再利用。 坚固耐用 LED是被完全的封装在环氧树脂里面，它比灯泡和荧光灯管都坚固。 灯体内