全国20064月高教育自学考试电子技术基础(一).docVIP

全国2006年4月高等教育自学考试 电子技术基础（一）试题 课程代码：02234 一、单项选择题（本大题共16小题，每小题2分，共32分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．要得到型杂质半导体，在本征半导体硅或锗的晶体中，应掺少量的A．三价元素B．四价元素C．五价元素D．六价元素 2．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u为 A．6V B．V C．+3V3．某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在 A．放大状态B．饱和状态 C．截止状态D．无法确定伏态 4．场效应管的转移特性如题4图所示，则该管为 A．P沟道增强型FETB．P沟道耗尽型FET C．N沟道增强型FET．沟遭耗尽型FEI 5．三种组态的放大电路中，共基极放大电路的特点是 A．u0与ui反相能放大电流B．u与ui同相能放大电压 Cu0与ui同相能放大电流D．u与ui反相能放大功率 6已知某基本共射放大电路的ImA，UEQ=6V，管子的饱和压降Uces1V，RcRL= 4KΩ，则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为 A．1VB．2VC．5VD．6V 7在双端输单Ad2=50，共模电压放大倍数Ac5，若输电压80mV，ui260mV，则输出电压u2为 A．1.035V B．965V C．+965V D．1.035V 8.题