chap3 扩散工艺3.3,3.4,3.5.pptVIP

§3.3 扩散杂质的分布 扩散方式有两种：恒定表面源扩散和有限表面源扩散。 1.恒定表面源扩散 扩散过程中，硅片表面杂质浓度始终不变，这种类型的扩散称为恒定表面源扩散。 其扩散后杂质浓度分布为余误差函数分布。 特点： （1)杂质分布形式：在表面浓度一定的情况下，扩散时间越长，杂质扩散的就越深，扩到硅内的杂质数量也就越多。 （2）结深 （3）杂质浓度梯度：在CS和CB一定的情况下P-N结越深，在结处的杂质浓度梯度就越小 2. 有限表面源扩散 扩散前在硅片表面先淀积一层杂质，在整个过程中，这层杂质作为扩散源，不再有新源补充，杂质总量不再变化。这种类型的扩散称为有限表面源扩散。 其扩散后杂质浓度分布为高斯函数分布 特点： （1）杂质分布形式：当温度相同时，扩散时间越长，杂质扩散的就越深，表面浓度就越低。当扩散时间相同时，扩散温度越高，杂质扩散的就越深，表面浓度下降的就越多。 （2）结深：在杂质分布形式相同的情况下，CB越大，结深就越深。 （3）杂质浓度梯度：随扩散深度的增加而减小。 3. 两步扩散 预淀积（或预扩散）：温度低、时间短 主淀积（或推进）：温度高、时间长 预淀积（或预扩散）现已普遍被离子注入代替 §3.4 影响杂质分布的其他因素（实际杂质分布(偏离理论值)） 一、二维扩散 一般横向扩