第4章半导体器件的基本特性1论述.ppt

4.2 PN结及半导体二极管 VD1 R1 Ui Uo 假设二极管管压降为0.6V 在正半周时，加在二极管上的电压使VD1导通，管压降为0.6V，输出电压Uo最大为0.6V； 负半周时，二极管截止，输出信号幅度不变； 为了使正向导通时输出电压增大，可串联一个电阻。 二极管应用—限幅 4.2 PN结及半导体二极管 Ui Uo VD1 C1 R1 C2 检波二极管 耦合电容 隔直通交 高频滤波电容去掉载波 检波电路负载电阻 音频信号 包络为音频信号 Ui调幅 信号 二极管应用—检波 总 结 1 2 P型和N型半导体 PN结的形成 知 识 点 3 二极管主要参数及应用 Questions and answers +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 元素的化学性质与最外层电子有关。最外层电子又叫价电子，最外层电子越少，化学性质月活泼，当最外层电子数目为8时达到稳定结构。 * 半导体二极管是把PN结用正负电极引线引出，外表用玻璃、塑料或金属管壳封装制成。 * * 4.2 PN结及半导体二极管 P型和N型半导体的接触现象 4.2 PN结及半导体二极管 PN结外加正向电压 空间电荷区 外电场方向 V R I 外电场与内电场方向相反?耗尽区变窄，内电场削弱?有利于扩散，扩散电流远大于漂移电流?正向电流很大。 内电场方向 P N PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN 结处于导通状态。 4.2 PN结及半导体二极管 死区电压 60 40 20 0 0.5 1.0 I / mA U / V 当正向电压比较小时，正向电流几乎为零。这一电压叫死区电压。 当正向电压超过一定值时，正向电流开始快速增长。 开启电压与材料和温度有关，硅管约 0.5V 左右，锗管约 0.1V 左右。 随着电流增加，PN结两端电压会继续增大，但到一定程度后，随着电流增加，两端电压的增幅就不大了，此时PN结完全正向导通，此时的电压叫导通电压。 开启电压 导通电压： 硅：0.6-0.8V 锗：0.1-0.3V 4.2 PN结及半导体二极管 空间电荷区 P N 外电场方向 内电场方向 V R IS 外电场与内电场方向相同?耗尽区变宽，内电场增强?阻止扩散运动，扩散电流和漂移电流均很小?反向电流很小。 当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零，PN 结处于截止状态。 PN结外加反向电压 4.2 PN结及半导体二极管 击穿电压 U(BR) 反向饱和电流 加反向电压，反向电流很小。硅管0.1μA;锗管约为几十μA。 当反向电压继续升高，大到一定数值时，反向电流会突然增大；这种现象称击穿，对应电压叫反向击穿电压。 击穿并不意味PN结损坏，若控制击穿电流，电压降低后，还可恢复正常。 雪崩击穿，齐纳击穿。 4.2 PN结及半导体二极管 60 40 20 – 0.002 – 0.004 0 0.5 1.0 –25 –50 I / mA U / V 正向特性 击穿电压 U(BR) 在PN结的两端加上电压，测量流过PN结的电流，I=f(U)之间的关系曲线。 反向特性 击穿特性 PN结的伏安特性 4.2 PN结及半导体二极管 势垒电容：PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。 扩散电容：PN结外加的正向电压变化时，在扩散过程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 结电容： 结电容不是常量！若PN结外加电压频率高到一定程度，则失去单向导电性！ PN结的电容效应 4.2 PN结及半导体二极管 二极管的结构 二极管分类 二极管主要参数 二极管的应用 半导体二极管 4.2 PN结及半导体二极管 点接触型： 结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。 面接触型： 结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。 平面型： 结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。 二极管的结构 4.2 PN结及半导体二极管 二极管的分类 4.2 PN结及半导体二极管 普通二极管(2AP1～9，2CP1～20)用于检波、鉴频、限幅； 整流二极管(2CZ11-2CZ27)用于不同功率的整流； 开关二极管(2AK1-2AK4)用于计算机脉冲控制、开关电路 稳压二极管(2CW1-2CW10)用于稳压电路 发光二极管、光电二极管、变容二极管 …… 普通二极管 稳压二极管 发光二极管 光电二极管 二极管的分类 4.2 PN结及半导体二极管 变容二极管 4.2 PN结及半导体二极管 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用数字表示器件