电流注入型T型量子细线レーザーの作制と评価讲课.ppt

Arm-Stem電流注入型T型量子細線レーザーの発振特性 東大物性研、CREST(JST)、ルーセント?ベル研A 岡野真人、劉舒曼、井原章之、吉田正裕、秋山英文 Loren N. Pfeiffer A、Ken W. West A 、Oana Malis A 研究の背景?目的 前回及び今回の発表の要旨 試料構造 電流?電圧特性の温度依存性 閾値電流?微分量子効率の温度依存性 利得吸収スペクトルの導出 利得ピーク値変化の温度依存性 閾値電流の比較 まとめと展開 Fin. プロセス方法 電流?出力特性の温度依存性 利得?吸収スペクトルの温度依存性 拡散長の温度依存性 電流によるEL imageの変化 実線が閾値電流を、点線が微分量子効率の温度依存性を表しています。 微分量子効率は温度上昇に伴ってだんだんと上昇し100Kで最大値をとります。 また、閾値電流はだんだんと減少し100Kで最小値をとります。 量子井戸やバルク半導体では通常温度に対して比例して閾値は上がっていくことが知られています。 T型量子細線でもノンドープの試料では閾値は30Kで極小をもち温度上昇に比例して閾値が上昇していきます。 そこでこのような温度依存性はArm-Stem電流注入特有の傾向であり、 内部でのTransport変化に起因していると考えられます。 さて、この閾値はIL曲線から求められたものですが、 次