电子科大微电子工艺(第五章)光刻工艺讲课.pptVIP

第五章 光刻 光刻基本概念 负性和正性光刻胶差别 光刻的8个基本步骤 光刻光学系统 光刻中对准和曝光的目的 光刻特征参数的定义及计算方法 五代光刻设备 5.1 引言 光刻是把掩膜版上的电路图形超精确地转移到涂覆在硅片上的光刻胶膜上，为后续刻蚀或离子注入提供掩蔽膜，以完成图形的最终转移的工艺过程。 一、光刻技术的特点 产生特征尺寸的关键工艺； 复印图像和化学作用相结合的综合性技术； 光刻与芯片的价格和性能密切相关，光刻成本占整个芯片制造成本的1/3。 二、光刻三个基本条件 掩膜版 光刻胶 光刻机 光刻三个基本条件——光刻胶PR(PhotoResist) 正性光刻胶 ? 硅片上图形与掩膜版一样 ? 曝光区域发生光学分解反应，在显影液中软化溶解而去除掉 ? 未曝光区域显影后保留 负性光刻胶 ? 硅片上图形与掩膜版相反 ? 曝光区域发生光学交联反应硬化，在显影液中不可溶解而保留 ? 未曝光区域显影后溶解 光刻三个基本条件——光刻机 三、光刻技术要求 光源 分辨率，是将硅片上两个相邻的特征尺寸图形区分开的能力。 套准精度，掩膜版上的图形与硅片上的图形的对准程度。按照光刻的要求版上的图形与片上图形要精确对准。 工艺宽容度，工艺发生一定变化时，在规定范围内仍能达到关键尺寸要求的能力。 5.2 光刻工艺步骤及原理 一、气相成底膜 二、旋转涂