第3章光源与光检测器研讨.ppt

图3.29 采用反向偏置的ＰＮ结制作光检测器 (a) PN结； (b) 没有偏置电压时的耗尽层;  (c) 反向偏置Va时的耗尽层; (d) 反向偏置时的内建电场 3.12.3 响应速度 响应速度是光电二极管的一个重要参数， 除了与上面提到的漂移运动和扩散运动速度有关外， 它还与负载电路RC参数有关。 R为其负载电阻， 一般较小， 可以忽略。 C为其结电容， 是限制其响应速度的主要因素。 当光信号的速率进一步提高时， 寄生电感成为主要因素并引起散粒(散弹)噪声， 该噪声可由下式估计： 2e(Is+I暗电流) （3.25） 式中, Is为光信号电流， I暗电流是没有光信号时产生的电流。 3.12.4 噪声 光检测器的噪声主要包括： 热噪声、 暗电流噪声和漏电流噪声、 散弹噪声等。 1. 热噪声 热噪声来源于电阻内部自由电子或电荷载流子的不规则热运动。 检测器具有内阻， 所以也有热噪声， 其热噪声的均方电压和电流值为 （3.26） 因为热噪声是一种白噪声， 所以在检测器前面可以用光滤波器去除信号带宽以外的热噪声。 2. 暗电流噪声和漏电流噪声 暗电流是没有光入射时流过光检测器的电流， 它是由PN结的热激发产生的电子-空穴对形成的。 对于APD， 这种载流子同样会得到高场区的加速而倍增。 暗电流的均方值为 （3.27） 3. 散弹噪声 光检测器的散弹噪声源于光子的吸收或者光生载流子的产生， 具有随机起伏的特性。 这种噪声是由光的本质（粒子性）决定的， 其他的噪声可以进行限制甚至消除， 而这种噪声总是存在的， 并成为接收机的极限灵敏度的限制。 （3.31） 对于PIN， G=1。 所以APD的散弹噪声比PIN的散 弹噪声大G2倍。 3.13 PIN 为了进一步提高光检测器的量子效率和响应速度， 在P型半导体和N型半导体之间加入一种轻微掺杂的本征半导体， 这样的光电二极管称为PIN光电二极管。 I的含义是指中间这一层是本征半导体。 PIN光电二极管的耗尽层很宽, 几乎是整个本征半导体的宽度， 而P型半导体与N型半导体的宽度与之相比是很小的， 因而大部分光均在此区域被吸收， 从而提高了量子效率和响应速度。 图3.30 基于异质结的PIN光电二极管 3.14 APD 3.14.1 APD的结构 雪崩光电二极管（APD）可以对尚未进入后面放大器的输入电路的初级光电流进行内部放大。 这样可以显著地增加接收机的灵敏度， 因为在还没有遇到接收机电路的热噪声之前就已放大了光电流。 为了达到载流子的倍增， 光生载流子必须穿过一个具有非常高的电场的高场区。在这个高场区， 光生电子或空穴可以获得很高的能量， 因此它们高速碰撞在价带上的电子使之产生电离， 从而激发出新的电子—空穴对， 这种载流子倍增的机理称为碰撞电离。 新产生的载流子同样由电场加速， 并获得足够的能量从而导致更多的碰撞电离产生， 这种现象就是所谓的雪崩效应。 当偏置电压低于二极管的击穿电压时， 产生的载流子总数是有限的。 偏置电压高于击穿电压时， 产生的载流子就可以无限多了。 图3.31 拉通型APD的结构以及耗尽区与倍增区的电场分布 最常用的具有低倍增噪声的结构是拉通（reachthrough）型的APD， 如图3.31所示。 拉通型APD（RAPD）先是把一种高阻的P型材料作为外延层而沉积在P+（P型重掺杂）材料上， 然后在高阻区进行P型扩散或电离掺杂， 最后一层是一个N+（Ｎ型重掺杂）层。 对于硅材料， 一般采用硼和磷进行掺杂。 这种结构称为P+πPN+拉通型结构。π层主要是带有少量P掺杂的本征材料。 “拉通”这一术语来源于光电二极管的工作情况。 当加上一个较低的反向偏置电压时， 大部分的电压降在PN+结上。 增加电压， 耗尽区宽度也将增加， 直到加到PN+结上的峰值电场低于雪崩击穿所需电场的5%～10%时才停止， 此时耗尽区也正好拉通到了整个本征区。 在一般的操作过程中， RAPD工作于完全耗尽的方式。 光子从Ｐ+区进入， 并在π区被吸收， π区就是收集光生载流子的区域。 光子被吸收后释放它的能量， 产生的电子—空穴对立即由π区的电场分开， 然后通过π区漂移到ＰＮ+结区