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Y掺杂AlN改性微米氮化铝陶瓷的研究 答辩人姓名：赵润权 指导教师：徐时清 教授 1.研究背景及意义 1.1氮化铝的性质 2.实验内容及方案 2.1制备AlN陶瓷 2.2AlN陶瓷性能测试 3.实验结果及分析 表3.2 不同量钇掺杂氮化铝粉体改性微米氮化铝陶瓷在不同温度烧结样品的热导率和致密度 4.问题讨论 （1）Y-AlN的最佳固溶量为1.5wt%，最佳的烧结温度为1750℃。继续添加助剂，会使热导率的致密度下降。 （2）添加少量钇掺杂氮化铝粉体的样品虽然能在1750℃烧结达到氮化铝陶瓷的理论密度，但此时陶瓷中氮化铝晶粒较小，晶界较多，且晶界间接触不紧密，其热导率仅为80-90W/(m·K)。 （3）由于钇铝酸盐液相化温度低、液相润湿性较好，可以促进AlN陶瓷的烧结。 09级毕业论文答辩 1.研究背景及意义 2.实验内容及方案 3.实验结果及分析 4.研究结论 集成电路 晶体管 电路基板 AlN陶瓷是一种性能优良的新型材料，有高的热传导性、低的介电常数和介电损耗、无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数被认为是新一代高集成程度半导体基片和电子器件封装的理想材料。 AlN属于共价化合物，熔点高，自扩散系数小，所以纯的AlN粉末很难烧结。目前主要通过添加助烧结剂和改进烧结工艺来制备AlN陶瓷。 AlN粉末 AlN成品 编号 AlN Y2O3 1 100 0 2 99.5 0.5 3 99 1 4 98.5 1.5 5 98 2 6 97.5 2.5 由6组不同量的20%Y掺杂AlN粉体分别与微米AlN进行共同烧结。而Y会与晶体中的杂质O生成Y2O3。 配料 球磨混料 预烧 造粒 排胶 烘干 成型 球磨 烧结 性能测试 XRD衍射 性能测试 SEM扫描 体积密度 图3.2 1500℃氮化不同Y掺杂AlN粉体的XRD图谱 根据图3.2XRD衍射图像可知，Y掺杂到AlN粉体中是以Y2O3的状态存在的。因为Y和AlN晶体中的O杂质反应从而生成Y2O3。 图3.3 1500 ℃氮化不同钇含量钇掺杂氮化铝粉体的SEM照片 　　(a. 20wt%; b. 40wt%; c. 60wt%; d. 80wt%) 通过图3.3SEM扫描图片可知Y掺杂AlN粉体颗粒平均直径为2~3um。且继续添加Y，导致AlN的颗粒粒径越大。 图3.4 不同量Y掺杂AlN粉体改性微米氮化铝陶瓷在不同温度烧结样品密度曲线 随着助剂添加量的增加，致密度也跟着增加。由此可知，Y-AlN可以促进微米氮化铝的烧结。而且并不是温度越高添加量越多致密度就会越大。 图3.5 不同量钇掺杂氮化铝粉体改性微米氮化铝陶瓷在1750 ℃烧结样品的SEM照片 (a. 0wt%; b. 0.5wt%; c. 1.0wt%; d. 1.5wt%; e. 2.0wt%; f. 2.5wt%) 　 未添加Y-AlN时，氮化铝陶瓷基本上没有烧结而且晶粒发育也不完善，晶体气孔较多。1.5wt%时，看不到气孔，烧结达到完全致密，存在小颗粒。而且，Y与氮化铝表面的Al2O3反应形成低熔点的钇铝酸盐相。当继续添加Y-AlN，氮化铝颗粒增大，小颗粒消失。 图3.6 不同量钇掺杂氮化铝粉体改性微米氮化铝陶瓷在1750 ℃烧结样品的XRD图谱 由XRD衍射图样可知，添加Y-AlN粉体会产生很少量的Al5Y3O12新相。而未添加Y-AlN助剂时，只有单一的AlN相。 图3.7 1.5wt%钇掺杂氮化铝粉体改性微米氮化铝陶瓷在不同温度烧结样品的SEM照片 (a. 1700 ℃; b. 1750 ℃; c. 1800 ℃; d. 1850 ℃) 在1700℃时，AlN没致密，气孔多。温度升高至1750℃，基本达到致密，气孔消失。Y与氮化铝表面的Al2O3反应成低熔点的钇铝酸盐相。1800℃时，小颗粒消失，AlN陶瓷颗粒变大。 图3.8 1.5wt%Y掺杂AlN粉体改性微米氮化铝陶瓷在不同温度烧结样品XRD图谱 由XRD衍射图样可知，在1700℃时，开始形成少量的第二相Al5Y3O12相。 添加量/wt% 密度/g·cm-3 热导率/W/(m·K) 1750 ℃ 1800 ℃ 1850 ℃ 1750 ℃ 1800 ℃ 1850 ℃ 0 2.4534 3.0808 3.0921 - 39.39 50.76 0.5 3.1818 3.1974 3.1818 74.14 79.52 77.37 1.0 3.2105 3.1948 3.2400 82.94 90.35 87.97 1.5 3.2667 3.2667 3.2400 86.60 9