光刻的介绍资料.pptVIP

光 刻 通信133班 郑慧迪 卢承慧 程方圆 张茜然 光刻的定义 通过光化合反应，将掩模板上的电路图图形暂时转移到覆盖在半导体晶片上的光刻胶，然后利用光刻胶的耐蚀性和感光性，将其作为掩模，对下方材料选择性加工（刻蚀或注入），从而在半导体晶片上获得相应的电路图形，以实现选择性惨杂和金属膜布线的目的。是一种非常精细的表面加工技术，是集成电路工艺中的关键技术，在器件生产过程中广泛应用。其加工精度直接影响分辨率及器件成品率和质量，同时也是影响制造成品率和可靠性的重要因素。 光刻技术在半导体中的应用始于1958年，在1959年至今的近50年间，集成电路的图形尺寸缩小了四个数量级。 目前已开始使用0.09-0.05μm加工技术，特征尺寸每三年缩小√2倍，集成电路的集成度每三年增长四倍，集成电路的集成度也提高了6个数量级以上。 在芯片上集成千万数量级的器件，集成电路的性能也呈指数关系在增长，这主要归功于光刻技术的进步。 光刻技术的发展 光刻与集成电路 视频学习 光刻基本介绍 * 在硅片表面涂胶，然后将掩模板上的图形转移光刻胶上的过程，再通过后续加工将图形转移到硅片上 ＊将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程 ＊光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一 ＊光刻占40%到50%的流片时间 ＊决定最小特征尺寸 掩模版——光刻胶——硅圆片 1.掩模板：主体为石英玻璃，透光性高，热膨胀系数小。 2.光刻胶：又称光致抗蚀剂，采用适当的有选择性的 光刻胶，是表面上得到所需要的图像。 3.曝光机：用于曝光显影的一起，利用光源的波长对于 光刻胶的感光度不同，对光刻的图形进行曝光。 光刻三要素 点击添加文本 光刻的工艺要求 点击添加文本 添加文本 高图形分辨率 高灵敏度 精密的套刻对准 低缺陷 高工艺宽容度 分辨率是光刻精度和清晰度的标志之一，表示能够辨识硅片表面两相邻特征图形的最小尺寸。 灵敏度又称感光度，只光刻胶感光的速度。 大的套刻容差会降低电路密度，限制了器件的特征尺寸，从而降低IC的性能，一般设为特征尺寸的10%左右。 尽可能避免缺陷的产生。 在生产中，即使遭遇到所有的工艺发生变化，在规定的尺寸内也能达到关键尺寸的要求。 1. 5. 4. 2. 3. 光刻胶的作用： 利用光敏特性，实现临时图形的转移，并在后续工艺中， 保护其下方材料，具有抗蚀性。 光刻胶的种类： 正胶——曝光部分被溶解，非曝光部分保留 负胶——非曝光部分被溶解，曝光部分保留 光刻胶 作用 种类 光刻胶的配置： 良好的抗蚀力 较高的分辨率 两者要兼顾 光刻胶的组成： 聚合物 感光剂 溶剂 增感剂 配置 组成 光刻胶 视频学习 光刻的工艺流程 点击添加文本 点击添加文本 点击添加文本 点击添加文本 平面度：有平整的表面（硅上氧化层） ●慢进慢出，严格控制光刻工艺中的环境温度 清洁度：有清洁、干燥的硅片表面 ●刷片，化学清洗 表面性质：提高表面与光刻胶的粘附性 ●高温烘焙，增粘处理 点击添加文本 表面处理 光刻的工艺流程 光刻的工艺流程 滴涂法（旋转涂胶法） 滴胶—低速旋转—高速甩匀—溶剂挥发 喷涂法——硅片自动进入涂胶盘进行喷涂 点击添加文本 表面处理 涂 胶 要在硅片表面获得一定厚度、均匀、无点缺陷、无杂质的光刻胶 光刻的工艺流程 点击添加文本 表面处理 涂 胶 要在硅片表面获得一定厚度、均匀、无点缺陷、无杂质的光刻胶 膜厚是涂胶的一个重要参数： 膜厚对分辨率的影响——胶层越厚，分辨率越低 膜厚对针孔密度的影响——胶层越薄，针孔密度越大 膜厚对光刻胶粘附性的影响 光刻的工艺流程 点击添加文本 表面处理 加热去除光刻胶中的溶剂，使其固化，提高光刻胶与衬底的粘附能力以及角膜的机械擦伤能力 常用方法： 烘箱法：生产效率高，成本低，烘箱内温度变化大且不均匀 热板法：溶剂由内向外蒸发，残留少，传热快 红外线加热：溶剂由内向外蒸发，残留少，时间短，温度均匀 前 烘 光刻的工艺流程 点击添加文本 表面处理 加热去除光刻胶中的溶剂，使其固化，提高光刻胶与衬底的粘附能力以及角膜的机械擦伤能力 前 烘 基本参数： 温度：温度越高，光刻模与片基粘贴越好 时间：时间越长，光刻模与片基粘贴越好 速度：对于较厚的胶膜，前烘的速度要慢 光刻的工艺流程 点击添加文本 表面处理 曝光 曝光方式： 1.接触式 2.接近式 3.投影式 掩膜版距硅片表面2~20um，无直接接触，损伤小，沾污少，更长的掩膜寿命，但间隙的存在会使光穿越掩膜版图形后发生颜射，降低了分辨率。 分辨率2~5um，主要应用：分立器件，SSI,MSI 谢 谢 观 赏