场效应管放大电路精讲讲述.pptVIP

20- 5 场效应管放大电路 5 场效应管放大电路 20- 5 场效应管放大电路 20- 5 场效应管放大电路 20- 1.MOSFET NMOS PMOS 增强型NMOS(E型NMOS) 耗尽型NMOS (D型NMOS) 增强型PMOS(E型PMOS) 耗尽型PMOS (D型PMOS) 2.工作原理 3.特性曲线 4. MOSFET的主要参数 上 讲 回 顾 5.1 金属－氧化物－半导体(MOS)场效应管 * 5.2 MOSFET放大电路 MOSFET和BJT放大电路的组态比较： 共源极组态 vi接栅极G v0接漏极D 共射极组态 vi接基极B v0接集电极C 共漏极组态 vi接栅极G v0接源极S 共集电极组态 vi接基极B v0接射极E 共栅极组态 vi接源极S v0接漏极D 共基极组态 vi接射极E v0接集电极C * 5.2.1 简单共源极放大电路的直流分析 g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id Cb2 － v0 ＋ ＋ ＋ － vi Cb2 ＋ 步骤——直流通路 VG ID VS 5.2 MOSFET放大电路 1 假设MOS管工作于饱和区，则有 VGSQVT，IDQ0，VDSQVGSQ-VT 2 利用饱和区的V-I曲线分析电路： 3 如果出现VGSVT，则MOS管可能截至，如果 VDSVGS-VT，则MOS管可能工作在可变电阻区。 4 如果初始假设被证明是错误的，则必须作新的假 设，同时重新分析电路。 * 5.2.1 简单共源极放大电路的直流分析 （1） 直流通路 g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id Cb2 － v0 ＋ ＋ ＋ － vi Cb2 ＋ VG ID VS VGS= VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VDS= VDD－IDRd 若NMOS工作于饱和区，则 若计算的VDSVGS-VT，则说明NMOS确工作于饱和区；若VDSVGS-VT，则说明工作于可变电阻区。 工作于可变电阻区的ID： 5.2 MOSFET放大电路 * 5.2.2 带源极电阻的NMOS共源极放大电路 g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id Cb2 － v0 ＋ ＋ ＋ － vi Cb2 ＋ （1） 直流通路 VS 若NMOS工作于饱和区，则 R Rs vs + - VG ID VDS= VDD－ID(Rd+R) －Vss v0 5.2 MOSFET放大电路 * g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id Cb2 ＋ ＋ ＋ － vi Cb2 ＋ R －Vss 例.如图，设VT=1V, Kn=500μA/V2 , VDD=5V, -VSS=-5V, Rd=10K, R=0.5K, Id=0.5mA 。若流过Rg1, Rg2的电流是ID的1/10，试确定Rg1, Rg2的值。 解.作出直流通路，并设MOS工作在饱和区，则由： 即 0.5＝0.5(VGS-1)2 流过Rg1、Rg2的电流为0.05mA VS Rs vs + - VG ID v0 得 VGS= 2V * g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id Cb2 ＋ ＋ ＋ － vi Cb2 ＋ R －Vss 例.如图，设VT=1V, Kn=500μA/V2 , VDD=5V, -VSS=-5V, Rd=10K, R=0.5K, Id=0.5mA 。若流过Rg1, Rg2的电流是ID的1/10，试确定Rg1, Rg2的值。 解.作出直流通路，并设MOS工作在饱和区，则由： VS Rs vs + - VG ID v0 Rg2=45K、Rg1=155K 判断假设的正确性： VDS= (VDD+VSS)－ID(Rd+R)=4.7V 则有： VDS (VGS-VT)=2-1=1V 说明管子工作在饱和状态，与最初假设一致。 * g d s B VDD Rd Rg1 Rg2 id Cb2 － v0 ＋ ＋ ＋ － vi Cb2 ＋ 静态值： VGSQ、IDQ、VDSQ 外加信号电压波形： ωt vi 因为：vGS=VGSQ+vi 所以vGS的波形为： iD=IDQ+gmvi ωt vGS VGSQ VGSQ1 VGSQ2 0 ωt iD IDQ IDQ1 IDQ2 0 负载线方程：： iD=- + VDD vDS Rd Rd 是一条过(VDD,0)和(0,VDD/RD)的直线 5.2.3 NMOS共源极放大电路的图解分析 5.2 MOSFET放大电路 * vDS/V iD(mA) vGS/V iD(mA) VGSQ VDD VDD Rd Q Q1 Q2 vi IDQ vDS ωt ωt VDSQ 5.2.3 NMOS共源极放大电路