N掺杂对6HSiC氧化速率特性影响.pdfVIP

摘要 摘要 碳化硅（SiC ），作为宽禁带半导体的典型代表，具有宽禁带、高击穿电场、 高载流子饱和漂移速率、高热导率、高功率密度等等许多优点。SiC 材料和 Si 一 样，能够直接热氧化生长氧化薄膜。因此 Si 工艺中很多方法可以直接应用到 SiC 工艺中。所以对 SiC 材料氧化工艺的研究具有重要的现实意义。但是国内目前还 对此缺乏系统研究。尤其是掺杂对 SiC 氧化特性的影响仍是具有争论的问题。本 文采用工艺实验和测试表征相结合的研究方法，结合电学测试和物理表征手段对 6H-SiC 中掺杂浓度对于在干氧氧化条件下氧化速率的影响进行了系统研究。 本文首先研究了SiC 氧化工艺的理论基础，推导并分析了Si 工艺中的经典氧 化模型—Deal-Grove 模型。并针对 SiC 氧化的特点，将模型修正后加以运用。本 文试图尝试从化学反应的原理上解释和分析 SiC 热氧化，因此运用阿伦尼乌斯公 式来量化氧化速率和温度及材料物体特性（包括材料形貌、结构和分子键能等） 之间的关系。 本文实验样品为山东大学生产的研究级N 掺杂的n 型6H-SiC，掺杂浓度分别 16 −3 17 −3 18 −3 为9.53 × 10 、1.44 × 10 、2.68 × 10 。在干氧氛围中，分别在 1050℃和1150℃温度下，对样品氧化2 、4 、6、8、10 个小时。并用椭偏仪对样品 的氧化厚度进行测试，利用SIMS 对样品中N 的浓度进行测试。 本文实验得到了氧化薄膜厚度与时间和掺杂浓度的相关关系图。数据显示晶 片的氧化速率随着掺杂浓度的升高而升高。然后利用修正的Deal-Grove 模型，提 取出线性氧化速率和抛物线氧化速率。在此基础上，通过阿伦尼乌斯公式，提取 出热氧化反应的指前因子和表观活化能。最终拟合和建立了新的含有掺杂浓度因 子在内的新的氧化模型。并在此基础上，探讨了影响6H-SiC 氧化速率的关键因素。 本文研究了掺杂对氧化速率的影响，跳出了目前器件设计和工艺研究相对孤 立的思路，更加宏观的为 6H-SiC MOSFET 器件的制备工艺提供指导，为国产 6H-SiC MOSFET 器件的早日投入应用奠定基础。 关键词： 碳化硅 掺杂 氧化速率 氧化模型 氧化机理 万方数据 ABSTRACT Abstract Silicon carbide (SiC), as a typical significant wide-gap semiconductor material, has excellent performance under high temperature, high power and high radiation condition. SiC which similar as Si, can grow natural oxide dielectric. Many process method of Si can be directly applied to the SiC process. Therefor the study of the oxidation