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CZ硅晶生长理论 一. CZ法晶体生长设计 CZ生长炉的组成元件可以分成4部分： （1） 炉体：包括石英锅，石墨三瓣锅，加热器，绝热元件， 炉壁。 （2） 晶棒及坩锅拉升上抬旋转机械：包括籽晶卡头，钢吊 绳，拉升上抬旋转元件。 （3） 气体压力控制：包括气体流量控制，真空系统，压力 控制阀。 （4） 控制系统：包括侦测感应器，电脑控制。 但是按照我们通熟的讲法可以认为是： （1） 炉体：包括控制晶体升降旋转的电机（限位，用于控 制晶体升降的极限位置），副炉室（钢吊绳，重锤）， 隔离板，主炉室（倒流桶，大盖板，上保温罩，主保 温罩，加热器，三瓣锅，托盘，托杆，六角外螺纹石 墨螺丝，内螺纹石墨螺丝，石英罩，电极，底盘）， 传动机械（底盘下面的）。 （2） 电柜（加热，真空，球阀，温控仪，计算机，计算机 风扇，真空计开关，触摸屏，液压传动开关以及各种 电器电子元件）。 （3） 电控机（楼下的）  单晶硅的密度 固态密度 2.33克/cm3 液态密度 2.5克/cm3  凝固结晶的驱动力 在溶液长晶过程里，随着溶液温度的下降，将产生由 液态转换成固态的相变化。为什么温度下降，会导致相变化 的产生？这个问题一般我们可以用热力学的观点来解释。对 于发