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氮化镓 应用

氮化镓 应用 GaN 基紫外探测器及其研究进展 摘要: 宽禁带半导体材料的研究和突破, 带动了各种器件的发展和应用。GaN 基紫外探测器具有 通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点, 可以制备日盲型紫外探测器。对 GaN 基 宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回顾, 重点介绍了 p 型材料的制备、金属半导体接触、 材料的蚀刻等。最后, 对国内外近期的紫外探测器特别是紫外焦平面器件的研究进展及初步获得的 32×32 紫外焦平面探测器进行了简单介绍。 。。。。。。。。。。。。。 氮化镓半导体蓝光激光器在我国研制成功.kdh 非平面化型ITO氮化镓基蓝光发光二极管.caj N_O_Ga_Mg和Si离子注入n型GaN样品的光致发光谱中蓝光发射带的研究.kdh 离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究.pdf 氮化镓HEMT器件的新型ColdFET模型.pdf GaN肖特基SIT的MonteCarlo模拟.caj 高性能氮化镓晶体管研制成功.kdh

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