(第一章)无机的化学键与电子结构教程.pptx

无机材料的化学键与电子结构 ;1.1 离子键与离子晶体的结合能 ;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;1.1 离子键与离子晶体的结合能 ;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;离子极化;离子极化的规律;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构; 当离子电荷数相同时,离子半径小的离子晶体晶格能大,相应表现为熔点高、硬度大等性能。;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;当两个原子轨道经线性组合而形成两个分子轨道（成键轨道???反键轨道）的时候，其能级变化(升高或降低）正比于 1/(1+S), S 可以近似的看成是两个原子轨道的重叠部分（重叠积分）。当两个原子轨道同位相交盖或重叠（成键），S 为正；反位相交盖或重叠（反键）， S 为负。因为 -1S1, 对成键轨道来说其能级降低为 1/(1+S) 1 (因为 1S0); 对反键轨道来说其能级升高为 1/(1+S) 1 (因为 0S-1). ;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;分子晶体 ;氢键：;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;无机材料的化学键与电子结构;当满带与空带之间的禁带宽达5～7eV时，电子难以借热运动等跃过禁带进入空带，因此是绝缘体，如金刚石的禁带宽达5.3eV。但当禁带宽度在1eV(1.602×10-19J或96.48kJ·mol-1)上下，便属于半导体材料。典型的半导体Si禁带为1.12eV；Ge为0.67eV。 ;无机材料的化学键与电子结构