第4_5章场效应管2013重点.pptVIP

对JFET和耗尽型MOS管，由于 GSoff GS DSS D U u I i ) 1 ( 2 - = 对应工作点Q处的gm为 或 该式表明，gm与静态偏压uGSQ成正比，或与静态工作电流IDQ的开方成正比。增大工作电流，可增大gm 。 而对增强型MOSFET，因为 显然，增大宽长比W/L和工作电流，可以提高gm。 则 2. 输出电阻r ds 输出电阻rds定义为 恒流区的rds可以用下式计算 rds很大，为几十千欧以上。 三.极限参数 场效应管也有一定的运用极限，若超过这些极限值，管子就可能损坏。场效应管的极限参数如下： (1). 栅源击穿电压U(BR)GSO。 (2). 漏源击穿电压U(BR)DSO。 (3). 最大功耗PDM：PDM=ID·UDS 一.方波、锯齿波发生器 5. 场效应管作为开关的应用电路举例 　运放A1构成弛张振荡器 A2构成反相积分器 JFET V作为控制开关 二.取样保持电路 三.相敏检波电路 　　运放A1构成符号电路 　　集成运放A2构成低通滤波器，取出uo1的直流分量。 　　集成运放A2构成低通滤波器，取出uo1的直流分量。 作业 4-17, 4-24， 4-25 4.5 场效应管（