半导体物理试卷河北大学讲课.docVIP

第一章 电子的共有化运动 原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，因而，电子可以在整个晶体上运动。这种运动称为电子的共有化运动。 准动量（hk） m*v = hk 有效质量的表达式 = h2(d2E/dk2)-1 引进有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用。 本征激发 价键上的电子激发成为准自由电子，亦即价带电子激发成为导带电子的过程，称为本征激发。 硅的能带结构（导带、价带） Si的导带极小值在【100】方向及其对称方向上，共有六个等价能谷。 Si的价带顶位于K=0处，在价带极值处有两个简并化的能谷，产生重空穴、轻空穴两类空穴。还有一个能带是由于自旋-轨道耦合分裂出来的。 导体、半导体、绝缘体的导电性能差别原因（从能带） 金属中，由于组成金属的原子中的价电子占据的的能带是部分占满的，所以金属是良好的导体。 绝缘体的禁带宽度很大，激发电子需要很大的能量，在通常温度下，能激发到导带去的电子很少，所以导电性很差。 半导体禁带宽度比较小，数量级在1eV左右，在通常温度下已有不少电子被激发到导带中去，所以具有一定的导电能力。P16图 1-12 第二章 杂质的补偿作用 当半导体中既掺入施主杂质，又掺入受主杂质时，施主与受主杂质之间有互相抵消的作用，称为杂质的补偿作用。 深能级、浅能级的定义及对材料的影响 杂质的施主能级Ed距导带底很近，受主能级EA距价带顶很近,通常称这样的杂质能级为浅能级。浅能级杂质能够提供载流子，提高导电性能，改变导电类型。 非Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带底较远，它们产生的受主能级距价带顶也较远。通常称这样的能级为深能级。深能级杂质，一般情况下含量极少，而且能级较深，对于载流子的复合作用比浅能级杂质强，故这些杂质也称为复合中心（减少非平衡载流子寿命）。金是一种很典型的复合中心，制造开关器件时，常有意掺杂金以提高器件速度。 n型、p型半导体 纯净半导体掺入施主杂质后，施主杂质电离造成半导体导电能力增强，靠电子导电的半导体称为n型半导体。 纯净半导体掺入受主杂质后，受主杂质电离造成空穴增多，半导体导电能力增强。靠空穴导电的半导体称为p型半导体。 第三章 费米分布函数、玻尔兹曼分布表达式 ?(E)= 费米分布函数服从泡利不相容原理，表示能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率。服从费米分布的电子系统称为简并性系统。 当E-EF?K0T时，电子占据几率很小，费米分布转为玻尔兹曼分布 ?B（E）= 服从玻尔兹曼分布的电子系统称为非简并性系统。 费米能级EF EF=μ= 意义：当系统处于热平衡状态，也不对外界做功的情况下，系统增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级。而处于热平衡状态的系统有统一的系统化学势，即统一的费米能级。 作用：描述平衡电子系统的特质；代表电子填充能级的水平；反映半导体的导电类型和掺杂水平。 杂质半导体、载流子浓度随温度变化规律P68 可解释器件为何掺杂；宽禁带半导体适合于功率器件 n型硅中电子浓度与温度的关系曲线如上图所示。共分五个区： 低温弱电离区 中间电离区 强电离区 过渡区 高温本征激发区 4.费米能级位置、载流子浓度的计算 n0p0= 详情见章3.3、3.4、3.5、3.6 第四章 迁移率的概念 单位场强下电子的平均漂移速度。反应载流子在电场中漂移运动的难易程度。 电导率：σ=nqμ 电流密度：J=nqμ|E| 平均自由程 连续两次散射间自由运动的平均路程。 Si、GePi∝NiT-3/2，NiNi=NA+ND 温度升高导致载流子热运动速度增大，更容易掠过电离杂质周围的库伦势场，散射几率减小。 声学波散射 原子间距的改变导致禁带宽度产生起伏，破坏晶格周期性势场。 声学波散射几率：Ps∝T3/2 热载流子 当外电场较强时，载流子从外电场获得的能量多于散射失去的能量。 载流子有效温度TeT μμ0 漂移速度增加的速度变慢。这一状态的热载流子称为热载流子。 杂质半导体电阻率随温度变化的关系曲线及原因 P== AB段：温度很低，本征激发可忽略，载流子主要由杂质电离提供，它随温度升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高而增大，故而，电阻率随温度升高而下降。 BC段：温度继续升高（包括室温），杂质已全部电离，本征激发还不十分显著，载流子基本不随温度变化，晶格振动散射上升为主要矛盾，迁移率随温度升高而降低，故而，电阻率随温度升高而上升。 C段：温度继续升高，本征激发很快增加，大量本征载流子的产生远远超过迁移率减小对电阻率的影响，这时本征激发成为主要矛盾，杂质