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材料物理性能 内容提要 电学性能－金属、半导体、绝缘体、超导体 磁学性能－抗磁性、顺磁性、铁磁性 热学性能－热容、热焓、热膨胀、热传导、热电性及热稳定性 弹性与滞弹性－弹性模量、滞弹性、内耗 考核方式 平时成绩 30％ 考查成绩 70％ 第一章 材料的电学性能 材料的导电性 半导体的电学性能 绝缘体的电学性能 超导电性 影响金属导电性的因素 导电性的测量 引言 一、载流子 电流是电荷的定向运动，电荷的载体称为载 流子。 二、迁移数 表征材料导电载流子种类对导电贡献的参数，用tx表示。 ti+、ti-、te-、th+ 离子迁移数ti0.99的导体为离子导体； ti0.99的导体为混 合导体。 第一节 材料的导电性 一、电阻率和电导率 欧姆定律：U=RI R表示导体的电阻，不仅与导体 材料本身的性质有关，而且还与其长度l及截面积S有关， 其值R＝ρl/S，式中ρ 称为电阻率或比电阻。 电阻率只与材料特性有关，而与导体的几何尺寸无关，因此 评定材料导电性的基本参数是电阻率或电导率，电阻率的单 位为Ω·m, Ω·cm, μΩ·cm。 当施加的电场产生电流时，电流密度J正比于 电场强度E，其比例常数σ即为电导率： 电阻率ρ的倒数σ即为电导率，即σ=1/ρ，电导率 的单位为S/m或Ω-1·m-1。 工程上用相对电导率IACS%= σ/ σCu%表征导体材 料的导电性能。 二、金属导电理论 1.经典自由电子理论（量子理论发展前） 霍耳效应 当金属导体处于与电流方向相垂直的磁场内时，则 在模跨样品的两面产生一个与电流和磁场都垂直的 电场，此现象称为霍耳效应。 表征霍耳场的物理参数：霍耳系数 又因 可得 由式可见，霍尔系数只与金属中的自由电子密度有 关。霍尔效应证明了金属中存在自由电子，理论计 算与实验测定结果对典型金属相一致。 电导率： 经典电子论的局限性 经典电子论模型成功地说明了欧姆定律，导电与导 热的关系。但在说明以下问题遇到困难： 实际测量的电子自由程比经典理论估计值大许多； 电子比热容测量值只是经典理论值的百分之一； 霍尔系数按经典自由电子理论只能为负，但在某些金属中发现有正值； 无法解释半导体，绝缘体导电性与金属的巨大差异。 这些都表明经典电子论的不完善，其主要原因在于 它机械地搬用经典力学去处理微观质点的运动，因 而不能正确反映微观质点的运动规律。 2.量子自由电子理论 量子理论的一些法则 电子具有波、粒两相性，运动着的电子作为物质波，在一价金属中，自由电子的动能E等mv2/2. 量子自由电子理论的电阻率表达式 3. 能带理论 由于周期势场的存在，自由电子的能级发生分裂，出现允带和禁带。 电阻率 当电子波通过理想晶体点阵(0K)时,不受散射；只有 晶体在点阵完整性遭到破坏的地方，电子波受到散 射，这就是金属产生电阻的根本原因。 若金属中含有少量杂质，杂质原子使金属正常的结 构发生畸变，对电子波引起额外散射。此时散射系数 此时，总电阻包括金属的基本电阻和溶质浓度引起的电阻。电 阻率遵循马西森定律： 当处于高温时，金属电阻主要由ρ(T)主导；在低温时，ρ′是 主要的。 在极低温度下（4.2K)测得的金属电阻率称为金属剩余电阻 率，可作为衡量金属纯度的重要指标。 三、无机非金属材料的导电机理 （一）离子型晶体的导电机理 第一类离子电导源于晶体点阵中基本离子的运动，称为离 子固有电导或本征电导。本征电导在高温下为导电主要表现。 这种离子随着热振动的加剧而离开晶格阵点，形成热缺陷。 这种热缺陷无论是离子或者空位均带电，可作为载流子，参 加导电。 第二类离子电导是结合力比较弱的离子运动造成的，这些 离子主要是杂质离子，因而称为杂质电导。 在低温下，离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定。 由杂质引起的电导率可以用下式表示，即 当材料中存在多种载流子时，材料的总电导率是各种电导率 的总和，可表示为： 离子导电是离子在电场作用下的扩散现象。其扩散路径畅 通，离子扩散系数就高，导电率也就高。可用能斯脱－爱因 斯坦方程表征该现象： 其中，D为扩散系数；n为载流子单位体积浓度；q为离子电 荷电量。根据σ＝nqμ可得 μ为离子迁移率；B为离子绝对迁移率，B＝μ/q （二）玻璃的导电机理 第二节 半导体的电学性能 一.本征半导体 在绝对零度和无外界影响的条件 下，半导体的空带中无运动的 电 子。但当温度升高或受光照射时， 也就是半导体受到热激发时，共价 键中的价电子由于从外界获得了能 量，其中部分获得了足够大能量的 价电子就可以挣脱束缚，离开原子 而成为自由电子。 半导体硅 （一）本征载流子浓度 （二）本征半导体载流子