CH-1-5-磁电阻讲课.ppt

双交换模型（1） （Zener 1951） Mn3+ 与 Mn4+交换 双交换：两次跃迁过程 两个状态相同（简并） eg电子→氧离子 氧离子电子→ Mn4＋ 用简并微扰论计算  二价碱土金属掺杂后Mn离子的双交换膜型： 铁磁型金属与反铁磁绝缘体 双交换机制 电子在FM两边跳跃能量简并，不用消耗能量 FM与AFM能量不同，电子在其间跳跃需耗能 DE 定量解释: e1g电子在t2g核心背景中的跳跃的双交换Hamilton: **双交换模型（2）从Mn3＋“跃迁”到Mn4+ 1，Mn4＋ 无eg 电子，eg电子间库仑能不会变化，但是 2，eg电子与局域t2g自旋间的洪德耦合会改变 解释：Mn3＋ 和Mn4＋之间，自旋夹角为 θ。 eg在局部自旋平行态（Mn3＋），能量＝－JH eg到了局部自旋平行态（Mn4＋），能量＝－JH cosθ 导致洪德能量的增量为 ＝ JH（1－cosθ） 平行，无增量。有利于跃迁。 反平行增量最大 有效跳跃积分: 的关联 双交换模型（3） 计算结果：（推导另讲） 相邻锰离子局域t2g自旋方向夹角为 θ， eg电子的跃迁概率 角度因子，来自自旋量子化轴的变换 结论： 相邻格点Mn3+ 和Mn4+的局域自旋 彼此平行时 tij最大，反平行时 tij最小。 explain- 物理意义 1，相邻局域自旋如果平行排列（铁磁性）， 有利于eg电子的巡游（金属性） 2，eg电子的巡游（金属性）通过洪德耦合，会导致 所经过的Mn离子局域自旋平行排列（铁磁性） （当然，要超过“超交换”） 金属性、铁磁性都来源于“双交换机制” *基于双交换模型解释其他实验（略） 强关联－电荷－自旋－轨道有序 仍是 FM 低阻态， AFM 高阻态。 本征行为： 化合物自身实现上述AFM 到FM的转变 * 本质： 机制与调制多层膜一致 揭示： 反铁磁耦合并非是产生GMR 的必要条件 比较： 因有Insulator层，电阻大，电流小时， 可使电压达到相对大的值－便于器件的开发 物理机制 Our group: SiO2 coated Fe3O4 particles : APL 90(2007)213106 §5－4.5 自旋阀（Spin Valve） 多层膜 GMR效应的三个条件： 相邻磁层间发生从FM向AFM的度越 传导电子的散射是自旋取向相关的－ 自旋散射非对称性越强，GMR效应越显著 自旋扩散不发生反转的平均自由程至少应大于超晶格的周期 自旋阀（Spin Valve） 不是通过非磁层的中介，而是人为（外加磁场）实现相邻磁层磁序的变化，获得巨磁阻 两个软（低矫顽力HC）磁层 结构途径之一 反铁磁层 非磁性层 Pined unpined 结构途径之二 低 矫 顽 力 HC1 磁 层 高 矫 顽 力 HC2 磁 层 非磁性层 H0 H0 原理：外磁场仅使一个矫顽力低或未被钉杂磁层中的磁矩发生反转，从而实现从FM向AFM的度越，诱发GMR 优点：外场低 灵敏度高 1）没有外场与一般GMR 一样是FM 2）向两个FM的方向加场 仍是FM （不改变磁矩方向） 3）只有向与原来磁矩方 向加一定的方向磁场， 是其中一个磁矩方向 形成AFM，才有电阻 增加 实际自旋阀的例子： FM AFM §5.5 庞磁电阻(CMR)（Colossal MR ） 实验现象 物理机理 实验发现与现象 一般公式： 结构： 钙钛矿 氧八面体 ABO3 母相： LaMnO3 +3 +3 +2 早期发现－电磁性质 1950‘s: I-M transition AFM-FM Transition 电磁相关 0.2x0.4 FM M Conclusions: 磁性: 电性: 1989发现： CMR effect MR=103% 主要以下的议题 1，为什么 是反铁磁Mott绝缘体？ 2，为什么掺杂反铁磁体 转变为金属，且为铁磁体？ 3. 为什么 Physical picture and Mechanics 一般公式： 结构： 钙钛矿 氧八面体 ABO3 RE3+ AE2+ Mn 关键单元 0