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ch4半导体基础讲课.ppt

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物质结构 原子 == 原子核 + 电子 (正电) (负电) 电子分层围绕原子核旋转,最外层8个电子为稳定结构 简化模型 内层电子与原子核结合紧密,一般不参与导电, 影响物质导电性能的主要是其原子中的最外层电子,常称为“价电子”。 在讨论导电性时,常用惯性核和外层电子简化表示其原子结构。 惯性核表示原子核所带正电荷与内层电子中和后的电荷量 半导体二极管 基本结构 PN结连接电极,封装管壳,由P区引出的电极称为阳极(正极);由N区引出的电极称为阴极(负极)。在一个PN结的两端,各引一根电极引线,并用外客封装起来就构成了半导体二极管,(或称晶体二极管,简称二极管。 稳压二极管(齐纳二极管) 稳压二极管是一种特殊的面接触型二极管,其PN结较薄 。它在电路中常用作稳定电压的作用,故称为稳压管。稳压管主要工作在反向击穿区,配合限流电阻可得到一个稳定的电压 电路符号: 稳压管常见电路如下 稳压管的主要参数 发光二极管LED LED发射的是自发辐射光(非相干光)。大多采用双异质结结构,把有源层夹在P型和N型限制层间,但没有光学谐振腔,故无阈值。 LED由磷镓或磷砷化镓等半导体材料制成。正向导通时能发出可见光 LED分为正面发光型和侧面发光型,侧面发光型LED的驱动电流较大,输出光功率小,但光束发射角小,与光纤的耦合效率高,故入纤光功率比正面发光型LED高。 LED除了具有单向导电性外,正向导通时发出可见光,直接将电能转化为光能。 发光二极管的正向导通压降较大,一般在2伏左右,电流一般在几毫安到十几毫安。 发光二极管的基本结构 光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与普通二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结,具有单向导电性,因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加,形成光电流(明电流),它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时,可以使PN结中产生电子一空穴对,使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移,使反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流 二极管电路通常都是采用二极管的近似电路模型进行分析计算。 不论采用哪种电路模型,都需要先确定二极管的工作状态。(导通或截止) 确定二极管的工作状态: 确定二极管的工作状态常采用“设截止,算电压,定状态”的方法。 ▲先假定二极管截止,按二极管截止时的电路计算出二极管的端电压 ,再根据这个端电压确定二极管的实际工作状态。 若 UD′<Vγ,则二极管截止; 若 UD′>Vγ,则二极管导通。 半导体三极管 基本结构 三极管的结构示意图如图所示,它是由三层不同性质的半导体组合而成的。按半导体的组合方式不同,可将其分为NPN型管和PNP型管。 无论是NPN型管还是PNP型管,它们内部均含有三个区:发射区、基区、集电区。从三个区各引出一个金属电极分别称为发射极(e)、基极(b)和集电极(c);同时在三个区的两个交界处形成两个PN结,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,集电区与基区之间形成的PN结称为集电结。即:三层半导体,两个PN结,3个电极 工艺特点电流放大的内部条件 (1)基区很薄且掺杂浓度低; (2)发射区掺杂浓度高; (3)集电结面积远大于发射结。 三极管的分类 三极管的种类很多, 有下列分类形式: (1) 按其结构类型分为NPN管和PNP管;  (2) 按其制作材料分为硅管和锗管;  (3) 按工作频率分为高频管和低频管 通过改变加在晶体管三个极上的电压可以改变两个PN结的偏置电压,从而使晶体管有三种工作状态: 当发射结和集电结均反偏时,处于截止状态; 当发射结正偏、集电结反偏时,处于放大状态; 当发射结和集电结均正偏时,处于饱和状态。 当晶体管处于放大状态时,能将基极的小电流放大为集电极的大电流 当两块不同类型的半导体结合在一起时,它们的交界处就会形成PN结,因此三极管有两个PN 结:发射区与基区交界处的PN结称为发射结(e结),集电区与基区交界处的 PN结称为集电结(c结),两个PN 结通过很薄的基区联系着。 同样,PNP型与 NPN型相似,特性几乎相同,只不过各点极端的电压极性和电流流向不同而已。 三极管的外形结构 常见三极管的外形结构如图所示。 三极管的电流分配与放大作用原理 ? 三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置, 集电结反向偏置。下图为NPN管的偏置电路 三极管内部载流子的运动 后面的图所示为三极管内部载流子运动的示意图 ?

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