CMOS集成电路工艺基础讲课.ppt

投影式光刻机 80年代后期出现了Wafer Stepper，10:1或5:1，使芯片加工进入了0.8μm的时代。代表产品有：美国的GCA，日本的Canon，Nikon及荷兰的ASM。 另外，美国的KLA更加先进，它带有Mask检查及修正系统。它将Mask上的图形缩小5倍后投影到硅片上，因此，使缺陷缩小很多。它使用的光源仍是紫外线，但是用的是g-line，波长在436nm，可加工：0.8~1.0μm（大生产），0.5~0.8μm（科研）芯片。 90年代对Stepper的改进大致两个方面， 一是在光源上： （1）用I-line的紫外线，波长在365nm，可加工0.5~0.6μm的芯片。 （2）若用准分子激光光源KrF下，波长大约248nm，可加工： 0.25~0.5μm （大生产），0.07~0.1μm（科研）的芯片。 （3）还有用电子束（E－Beam）光源的，主要用于做Mask。 二是在制作Mask上下功夫，并带有Mask的修正功能，可通过检测Mask上的缺陷，调整曝光过程。 3.6、外延生长 外延生长是用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层 外延层（P-） 单晶硅 器件和IC都制作在外延层 第四节 CMOS集成电路加工过程简介 *硅片制备 *前道工序 *后道封装 4.1、MOS工艺 *NMOS工艺 *PMOS工艺 *CMOS工艺 # P阱CMOS工艺 # N阱CMOS工艺 # 双阱CMOS工艺 4.2 CMOS(P阱)工艺流程介绍 * *1 第一章 CMOS集成电路工 艺基础 1、半导体材料： N型半导体：N- N N+ P型半导体：P- P P+ 2、CMOS集成电 路工艺 氧化工艺 搀杂工艺 淀积工艺 钝化工艺 光刻和腐蚀工艺 3、CMOS集成电 路工艺流程 本章主要内容 第一节 集成电路材料 1、材料分类： 从电阻率上分，固体分为三大类。在室温下： 金属： ρ10 Ω·cm 半导体：ρ=10 Ω·cm~10E4 Ω·cm 绝缘体：ρ10E4 Ω·cm 10-22~10-14S.cm-1 SiO2、SiON、SiN4 绝缘体 10-9~102S.cm-1 硅、锗、砷化镓、磷化铟 半导体 105S.cm-1 铝、金、钨、铜 导体 电导率 材料 分类 2．材料的温度特性 一般金属的导电能力随温度上升而下降，且变化不明显。但硅的导电能力随温度上升而增加，且变化非常明显。 举个例子： Cu：30?C ?100?C ?增加不到一半（正温度系数） Si：30?C ? 20?C ?增加一倍 （负温度系数） 3．半导体材料的主要特性 A）半导体的导电能力随所含的微量杂质而发生显著 变化 一般材料纯度在99.9％已认为很高了，有0.1％的杂质不会影响物质的性质。而半导体材料不同，纯净的硅在室温下：?＝21400Ω·cm 如果在硅中掺入杂质磷原子，使硅的纯度仍保持为99.9999％。则其电阻率变为：?＝0.2Ω·cm。 因此，可利用这一性质通过掺杂质的多少来控制硅的导电 能力。 B）当半导体受到外界热的刺激时，其导电能力发生显 著变化。利用此特性可以制作热敏器件。同时也要求半导体电路中必须要有温度补偿措施。 C）半导体的导电能力随光照而发生显著变化， 利用此特性可以制作光敏器件。 D）半导体的导电能力随外加电场、磁场的作用 而发生变化 4．半导体材料介绍 A） Si 化学周期表四族元素。 材料来源丰富，价格便宜 基于Si半导体的工艺技术已经相当成熟 B） 砷化钾 GaAs 是III/IV族化合物 材料比较贵，比Si片贵十几倍 工艺制造比较成熟 GaAs的集成电路具有更好的性能 C） 磷化铟 也是III/IV族化合物 主要应用于光纤系统中 制作发光器件和OEIC 工艺制造技术不时非常成熟 5．绝缘材料的作用 在集成电路系统中，主要的绝缘材料有：