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平行双导线电容： 每根导线的直径为d，双导线间的距离为D，其间充填有介质ε。设平行双导线间的电压为U，单位长度的电荷为ρl，则双导线间的电场强度为 * 工程电磁场理论与应用 静电场 磁场强度H 电场强度E 电荷Q 电流密度JC 在导电材料中 在介电材料中 电通密度D 在空间中 在空间中 磁通密度B 在导磁材料中 当时变时 位移电流JD 当时变时 辐射电磁波 涡流电磁场 静电场 库伦定律： q1 q2 在标准单位制（米.千克.秒）中， 力的单位为牛顿，电荷单位为库伦 电场强度： 在电场中某个位置上的受试电荷所受到的电场作用力与受试电荷量之比，当受试电荷趋向于零时的极限： 对于点电荷q产生的电场强度： 迭加原理： 点电荷 线电荷 面电荷 体电荷 静电场的电场强度 电力线： 电力线是人为的在电场中做出的一些线，线上各点的切线与电场强度的方向一致，疏密程度与电场强度的大小成比例。 Ex Ey E 电力线 静电场的电力线 + _ + - 两个正负电荷的电力线 电位差与电位： 电荷q’从A点移动到B点所做的功（能量差）与电荷的比值。 静电场的电位函数 两个正负电荷的等位线 q r r+dr dl dr a 场强的线积分与积分路径无关，即场强沿着任意闭合路径的线积分为零。 电场的无旋性： 积分形式 微分形式 静电场的基本方程 电通量与高斯定理： 式中dΩ是表面dS在O点所张的立体角。由于任何封闭面对曲面内的一点所张的立体角都是４π，所以通过曲面 S的总电通量为 dW ds q 积分形式 微分形式 静电场的基本方程 ldl r l Er 方法1、直接电场强度的定义 方法2、通量定理 j 计算例子：有一无限直长圆柱导体，单位长度电荷量为l，求距离导体中心r处的电场强度。 方法1、直接电场强度的定义 a a 静电场的计算例子 方法2、通量计算法 Er r L 高斯定理 无旋性 积分形式 微分形式 静电场的基本方程 导体的电容 在很多情况下，电荷分布在导体上或导体系统中，因此导体是储存电荷的容器。储存电荷的容器称为电容器(Capacitor)。实际上，相互接近而又相互绝缘的任意形状的导体都可构成电容器， 如图所示。 一个导体上的电荷量与此导体相对于另一导体的电位之比定义为电容，其表达式为 +Q -Q Uab 将上式积分即得双导线间的电压: y e z D d x x +l -l Ex 导体电容的例子 同轴电缆电容： 同轴线内、外导体的半径分别为a和b，其间充填有介质ε，类似的推导可得同轴线单位长度的电容为 e Ro Ri Er r 导体电容的例子 设分界面上存在的自由面电荷密度为ρS， 根据高斯定理有： 或 在电介质的分界面处，D矢量的法向分量连续。 在电介质的分界面处，E矢量的法向分量不连续。 D、E的法向分量 一般情况下，介质交介面处rs=0 静电场的边界条件 D、E的切向分量 根据无旋性： 在电介质的分界面处，E矢量的切向分量连续。 在电介质的分界面处，E矢量的切向分量不连续。 静电场的边界条件 设分界面两侧的电场与法线n的夹角分别为θ1和θ2，如图所示， 则可以得到， 介质分界面上电场的方向 该式表明， 在两种不同介质的分界面上，电场强度E和电通量密度D一定会改变方向，只有当θ1或θ2等于零时，分界面上的电场方向才不改变，像平行板、同轴线和同心球中的电场就是这种情况。 导体表面的电场 因为导体中 所以 导体 在导体表面，电通密度D等于导体表面的电荷密度，且垂直于导体表面 边界条件 静电场的场控制方程 引入电位函数 考虑 高斯定理 无旋性质 或 如果已知电荷分布，则可以通过库伦定律直接计算。 但实际问题中，往往并不知道电荷分布，而只知道电位分布或总电荷量，则就需要通过边值问题求解。 Poisson 方程 柱坐标 Laplace 方程 静电场的场控制方程的边界条件 偏微分方程 边界条件 介质交界面条件 因为在介质交界面上，无自由电荷 +q j=0 -q +q +q 静电场的边界条件例子 +q -q +q +q j=0 静电场的边界条件例子 静电场的场方程解的唯一性 只要定解问题相同，则解是唯一的。 无论通过什么方法，只要它符合给定的边界条件，又符合场控制方程，也就是区域内唯一正确的答案。 +q j=0 +q j=0 -q -j +j +q -q +q -q 静电场的唯一性定理应用 +q j=0 +q j=0 -q 静电场的唯一性定理应用 静电场的能量 q1 q2 r 建立起这样一个系统，所需要做的功，就是该系统所具有的能量。 首先：把q1移到某点，由于没有电场，这一过程不做功； 然后，把q2从无限远处移动到进系统，离q1距离r处。 q1在q2位置处产生的电位 ji