X射线光刻讲课.ppt

X射线光刻技术 光刻基本介绍 在硅片表面涂胶，然后将掩模版上的图形转移到光刻胶上的过程，再通过后续加工将图形转移到硅片上 将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。 光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。 光刻占40%到50% 的流片时间。 决定最小特征尺寸。 掩模版—光刻胶—硅圆片 光刻处于晶圆加工过程的中心，一般被认为是集成电路（IC）制造中最关键的步骤，需要高性能以便结合其他工艺获得高成品率。 光刻的基本原理图 光刻的本质是把所需图形复制到待刻蚀晶圆片，电路图形首先被制作在被称作光刻掩膜版的石英膜版上，然后将图形精确、重复转印至涂有光刻胶的待腐蚀层上。利用光刻胶的选择性保护作用，对需腐蚀图形进行选择性化学腐蚀，在表面形成与光刻模板图形相同（或相反）的图形。 光刻工艺的概念 光刻的目的　　光刻实际是图形的转移，把掩膜版上的图形转移到晶圆的表面。 主要目的是用来在不同器件和电路表面形成所需的各种图形。如经常用到的局部掺杂的掩蔽图形，互连连接的金属线图形等。 光刻工艺的目标主要包括在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求的图形和晶圆表面正确地定位图形。 光刻三要素 掩模版：主体为石英玻璃，透光性高，热膨胀系数小 光刻胶：又称光致抗蚀剂，采用适当的有选择性的光刻胶，使表面上得到所需的图像。 曝光机：用于曝光显影的仪器，利用光源的波长对于光刻胶的感光度不同，对光刻的图形进行曝光。 光刻工艺的基本步骤 光刻的基本工艺步骤 1）气相成底膜 硅片清洗 脱水烘培 增粘处理 目的是保证硅片的良好平面度、洁净度、增强硅片与光刻胶之间的粘附性 在硅片成底膜前对其表面进行脱水干燥处理 目前多采用两种方法相结合实现气相成底膜工艺，清洗后脱水干烘，然后采用六甲基二硅胺烷（HMDS）进行成膜处理 2）旋转涂胶 涂胶是将光刻胶溶液均匀涂在硅片表面的过程。分为滴涂法和自动喷涂法两种。其中，前者涂布效果好，后者则适用于企业的大规模生产。 3）软烘（前烘） 软烘可使光刻胶中溶剂进一步挥发、缓和旋转涂布过程中胶膜内应力、提高光刻胶粘附性和均匀性、优化光刻胶光吸收特性（敏感性）、增强胶膜机械擦除能力等。 常用方法： 烘箱法：生产效率高；成本低；烘箱内温度变化大且不均匀 热板法：溶剂由内向外蒸发，残留少 ；传热快；温度均匀 红外线加热：溶剂由内向外蒸发，残留少 ；时间短；温度均匀； 4）对准和曝光 光刻设备主要包括紫外光源、光学系统、投影掩膜版、对准系统等。 4）对准和曝光 掩膜版透明和非透明区域组成了待转移图形，曝光是将掩膜版上的图形精确复制成光刻胶上的最终图像，曝光过程中，从光源发出的光通过对准的掩膜版将能量传递给光刻胶，并使光刻胶结构发生改变（感光）实现曝光。 5）曝光后烘焙 曝光后烘焙可促进关键部位光刻胶化学反应特性：紫外光曝光过程中，在光刻胶曝光区产生一种酸，有利于催化光刻胶溶于显影液，烘焙可以使光生酸扩散至曝光-未曝光界面，改善图形显影效果。 6）显影 显影是指将已曝光晶圆片采用适当溶剂（显影液）浸渍或喷淋，使光刻胶上的不需要区域溶解掉获得所需图案的过程——冲洗照片。 控制关键尺寸是显影过程重点，与曝光质量、所用显影液种类、显影方式和显影时间等有关系。 7）坚膜 显影后的热烘焙称为坚膜，由于显影液对光刻胶膜的影响，胶膜在显影后易软化、膨胀，导致粘附力下降，坚膜过程可以改善胶膜粘附力、去除剩余溶剂和水，保证胶膜达到一定硬度等。 8）显影检查 显影后进行检查用来检测光刻工艺好坏，目的是查找光刻胶成形图形缺陷，为随后刻蚀或离子注入做准备，并及时去除有缺陷的硅圆片，显影检查通常采用自动检测设备进行。 主要包括对光刻胶粘附性和质量的检查。 X射线光刻的发展 X射线光刻的原理 软X射线光刻主要由X射线掩模、光刻胶、步进光刻机和X射线光源组成。 软X射线光刻的组成 X射线掩模 光刻胶 光刻胶 X射线步进光刻机 X射线源 X射线源 X射线光刻技术的优点  德国联邦工程物理研究所 ( Physikalisch-Technische Bundesanstalt,简称PTB)，BESSY研究中心和激光技术研究所 (Institute of Laser Technology)，对X射线投影光刻的有关单元技术，利用同步加速器 X射线源进行光学超高精度表面反射率的测量、透射软X射线掩模板的制作、激光等离子体的研究、多层膜的研究、利用同步辐射X射线作比对 ,对测量波长进行标定。在同步辐射X射线源上 ,用Karl Suss公司生产的XRS200型软X射线接近式光刻机做光刻试验，取得了一些阶段研究成果。 德国联邦工程物理研