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半导体器件--晶体管 1.3 晶体管 1.3.1 晶体管的结构、分类及基本特性 1 晶体管的结构和分类 晶体管有三个电极，通俗来讲，晶体管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构,由两个PN结组成，根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。 晶体管内部结构示意图 2 晶体管的三种连接方式 因为放大器一般为4端网络，而晶体管只有3个电极，所以组成放大电路时，有一个电极作为输入与输出信号的公共端。根据所选公共端电极的不同，有以下三种连接方式:共基极、共发射极和共集电极。 晶体管的三种连接方式 3 晶体管的电流放大作用 (1)晶体管实现放大的结构要求是： ■发射区高掺杂，多数载流子自由电子的浓度远大于基区多数载流子空穴的浓度。 ■基区做的很薄，通常只有几微米到几十微米，而且是低掺杂。 ■集电极面积大，以保证尽可能收集到发射区发射的电子。 (2)晶体管实现放大的外部条件是： 外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态；集电结处于反向偏置状态。 (3)晶体管内部载流子的运动规律和电流放大 ①发射区向基区扩散电子 ②电子在基区扩散和复合 ③集电区收集从发射区扩散过来的电子 (4)电流分配 集电极电流：IC=ICn+ICBO≈ICn=βIB 发射极电流：IE=IEn+IEp≈IEn=ICn+IBn=IC+IB=(1+β)IB 基极电流： IB=IBn-ICBO≈IBn 晶体管各极电流的关系 1.3.2 晶体管的特性曲线 当UCE不变时，输入回路中的电流与IB与电压UBE之间的关系曲线称为输入特性曲线，即 其中UCE＝0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当UCE ≥1V时，UCB= UCE—UBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，使基区复合减少，IC / IB增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但UCE再增加时，曲线右移很不明显。因为UCE＝1V时，集电结已把绝大多数电子收集过去，收集电子数量不再明显增大。工程实践上，就用UCE＝1V的输入特性曲线代替UCE 1V以后的输入特性曲线。 共发射极接法的输入特性曲线 1 输入特性曲线 2 输出特性曲线 当IB不变时，输出回路中的电流IC与电压UCE之间的关系曲线称为输出特性，即 共射极接法输出特性曲线 通常把输出特性曲线分为三个工作区： (1)截止区 IC接近零的区域（即IB≤0的区域），相当IB=0的曲线的下方。在截止区，集电结和发射结均处于反向偏置 (2)放大区 IC平行于UCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏 (3)饱和区 在靠近纵轴附近，各条输出曲线的上升部分属于饱和区，它是IC受UCE显著控制的区域，该区域内UCE 的数值较小，一般UCE＜0.7 V(硅管)。发射结和集电结都处于正向偏置状态。 1.3.3 晶体管的主要参数 晶体管的参数分为直流参数、交流参数和极限参数三大类。 1 直流参数 (1)直流电流放大系数 ①共发射极直流电流放大系数 ②共基极直流电流放大系数 (2)极间反向电流 ①集-基间反向饱和电流ICBO ②集-射间反向饱和电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系： 2 交流参数 （1）交流电流放大系数 ①交流共基集-射电流放大系数 ②交流共射集-基电流放大系数? 在放大区，?值基本不变，可在共射接法输出特性曲线上，通过垂直于横轴的直线求取?IC／?IB。 （2）特征频率fT 晶体管的?值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，晶体管的?将会下降。当?下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。 3 极限参数 极限参数是指为了保证晶体管在放大电路中能正常地、安全地工作而不能逾越的参数。 （1）集电极最大允许损耗功率PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗，PCM=ICUCE，因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。管子工作时，集电结功耗PCPCM，否则使集电结温升过高而烧坏。