薄膜淀积工艺(上)讲课.pptVIP

* 第五章 薄膜淀积工艺 （上） 薄膜淀积（Thin Film Deposition）工艺 ■ ? 概述 ■ ? 真空技术与等离子体简介 (第10章) ■ ? 化学气相淀积工艺 (第13章) ■ ? 物理气相淀积工艺 (第12章) ■ ? 小结 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第10、12、13章 （电子讲稿中出现的图号是该书中的图号） 一、概述 薄膜淀积工艺是IC制造中的重要组成部分：在硅表 面以上的器件结构层绝大部分是由淀积工艺形成的。 1、薄膜淀积工艺的应用 2、薄膜淀积工艺一般可分为两类： (1) 化学气相淀积（Chemical Vapor Deposition）：利用化 学反应生成所需薄膜材料，常用于各种介质材料和半导 体材料的淀积，如二氧化硅、多晶硅、氮化硅等。 (2) 物理气相淀积（Physical Vapor Deposition）：利用物理 机制制备所需薄膜材料，常用于金属薄膜的制备淀积， 如铝、钨、钛等。 (3) 其他的淀积技术还包括：旋转涂布法、电解电镀法等 SOG（Spin on Glass） 金属Cu的淀积 3、评价薄膜淀积工艺的主要指标： (1) 薄膜质量：组分、污染、缺陷密度、机械性能和电学性能 (2) 薄膜厚度及其均匀性：表面形貌和台阶覆盖能力 (3) 薄膜的间隙填充（ Gap Filling）能力 深宽比（Aspect Ratio）： 1、气体分子的质量输运机制：低压CVD 2、等离子体产生机制：溅射、等离子体增强CVD、反应 离子刻蚀等 3、无污染的加工环境：蒸发、分子束外延 4、气体分子的长自由程输运：离子注入 二、真空技术和等离子体简介 （一） 微电子制造涉及的真空技术 1、标准环境条件： 温度为20℃，相对湿度为65%，大气压强 为：101325 Pa = 1013.25 mbar = 760 Torr 2、压强单位： ■ 帕斯卡（Pa）：国际单位制压强单位，1Pa = 1 N/m2 ■ 标准大气压（atm）：压强单位，1 atm = 101325 Pa ■ 乇（Torr）：压强单位，1 Torr = 1/760 atm，1 Torr = 1 mmHg ■ 毫巴（mbar）：压强单位，1 mbar = 102 Pa ■ 其他常用压强单位还有：PSI（磅/平方英寸） （二）真空基础知识 3、气体动力学理论推导的几个公式： 注意：这些公式只在λ L时适用（L是腔体的特征长度） 气体分子的平均速率： 式中m是气体分子质量 气体分子的平均自由程： 式中d 为分子直径；n 为单位体积内的气体分子数 根据理想气体定律， 代入上式，得到 式中P 为腔体压力 （二）真空基础知识 4、真空区域划分： 压强高，真空度低； 压强低，真空度高。 ■ IC工艺设备一般工作在中低真空段，但为了获得无污染的 洁净腔室，一般要求先抽到高真空段后再通入工艺气体。 （二）真空基础知识 真空度—指低于大气压的气体稀薄程度 (1) 真空系统的组成：气源（待抽容器）、系统构件（管道阀门等） 及抽气装置（真空泵）。 (2) 气体流动：当真空管道两端存在有压力差时，气体会从高压处 向低压处扩散，形成气体流动。 (3) 气体沿真空管道的流动状态可划分为如下几种基本形式： 5、 真空的获得 (1) 低中真空泵： ? ? 采用压缩型旋转叶片泵（气体压缩和气体排除）； ? ? 排气量大时，需采用前置罗茨泵（转速非常高）； ? ? 对于高纯净环境，采用干泵以避免油蒸汽污染。 (2) 高真空泵： ??? 抽吸腐蚀性和有毒气体，或大容量气体时，采用动量转移 型泵，如扩散泵和涡轮分子泵； ??? 抽吸小容量气体，或需要超高洁净度时，采用气体吸附型泵， 如冷泵（低温泵）等。 7、真空密封：O形圈（低中真空）、金属法兰（高真空） 8、气压测量：电容压力计、热传导规表（低中真空）、离子 规表（高真空） 6、 真空泵的分类： 1、等离子体（Plasma）：指产生了部分电离现象的气体 ? 反应腔抽真空，充气 ? 加高压电场，气体被击穿，气体离化，产生离子和自由电子 ? 电子向阳极加速运动，离子向阴极运动，离子与阴极碰撞再产生大量二次电子 ? 二次电子与中性气体分子碰撞，再产生大量离子和电子，从而维持等离子体 （三）等离子体简介 2、等离子体的产生： 3、当气体由原子A和原子B组成时，可能出现的过程有 典型工艺条件下只有0.1%