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薄膜制备方法总结 薄膜制备方法 物理气相沉积（PVD） 化学气相沉积（CVD） 溶液镀膜 PVD和CVD PVD：通过高温加热金属或化合物蒸发成气相，或者通过电子、离子、光子等荷能粒子的能量把金属或化合物靶溅射出相应的原子、离子、分子(气态)，在固体表面上沉积成固相膜，其中不涉及到物质的化学反应(分解或化合)。 CVD：通过含有构成薄膜元素的挥发性化合物与气态物质，在固体表面上进行化学反应，且生成非挥发性固态沉积物的过程。 物理气相沉积（PVD） 蒸发（热化，电子束，RF，PLD） 溅射（RF，DC，磁控） 离子镀膜（IP） 蒸发 蒸发：通过不同的加热方式使原材料气化后，直接（或与反应气体反应后）在衬底上成膜。 蒸发的特点 纯度高 成本低 方向性好 材料受限 溅射 溅射：以荷能粒子(常用气体正离子)轰击某种材料的靶面，而使靶材表面的原子或分子从中逸出并淀积在衬底材料上的现象。 溅射的特点（与蒸发相比） 膜层和衬底附着力强 可以制备高熔点材料 易于大面积均匀成膜 膜的成分易于控制 分子束外延 在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。 分子束外延的特点 生长速率极慢，每秒1—10埃，因而可以生长极薄而厚度均匀的外延层。 外延生长的温度低，可以避免衬底与外延层间的杂质在扩散，而获得杂质浓度分布异常陡峭p—n结，同时又可以避免通常在高温下产生的热缺陷。 衬底表面可成为完全清洁的，生长是在超高真空中进行的，在外延过程中可避免沾污，因而能生长出质量极好的外延层。 离子镀膜 使蒸发粒子在等离子体（利用辉光放电产）中运动，通过动量及电荷交换成为高能粒子，在基板表面形成薄膜。 蒸发＋溅射相结合 离子镀的特点 膜层附着性好 膜层的致密度高（通常与大块材料密度相同） 绕射性能好 可镀材质范围广泛 有利于化合物膜层的形成 淀积速率高，成膜速度快，可镀较厚的膜 化学气相沉积（CVD） 大气压化学气相沉积(APCVD) 低气压化学气相沉积（LPCVD) 大气压化学气相沉积(APCVD) 1)高温大气压CVD 炉壁加热方式：射频加热/辐射加热 特点：简单经济、稳定高效；腐蚀、污染、耗能 应用：外延Si薄膜制备、TiN, TiC等超硬涂层等 2)低温大气压CVD 工作温度:500～700oC 应用领域：主要用于集成电路、电子器件等对沉积温度有比较严格限制的薄膜制备。 低气压化学气相沉积（LPCVD) 低气压CVD按工作真空度的划分: –减压CVD(RPCVD)：100 torr P 1 torr； –LPCVD：1 torr P 10 mtorr； –超高真空：～10-7torr 应用低气压CVD的目的： –提高生产效率、降低成本：LPCVD可以使基 片排部更加紧密； –改善薄膜的质量：提高薄膜的致密度、减少针 孔； –控制薄膜的厚度和均匀性以及化学成分匹配。 低气压化学气相沉积（LPCVD) 金属有机物CVD(MOCVD) 工作气体:低温高挥发性的金属有机物； 工作温度：300～700oC 特点：成分组分控制比较好，可以大面积沉积、均匀 性好、致密；工作气体成本比较高。 激光增强CVD(LECVD) 工作原理:采用激光加热和光催化对化合物进行催化分解。 目的：利用激光可聚焦的特点进行选择沉积。 等离子体增强CVD(PECVD) 工作原理:采用等离子体辅助对化合物进行催化分解。 目的：利用等离子体辅助活化反应气体，降低反应温 度，改善薄膜质量； 溶液镀膜 化学反应沉积( 化学镀、Sol-Gel） 阳极氧化法 电镀法 LB膜