第04章化合物半导体--2015.04.22解答.pptVIP

5. GaN体材料生长 用GaN体材料做衬底进行外延生长和器件结构制备是最佳选择 最具有使用价值的方法：氢化物气相外延（HVPE） 2Ga+2HCl→2GaCl+H2 2GaCl+NH3 →GaN+HCl+H2 HVPE，低温缓冲层技术，在蓝宝石衬底上生长高质量、无应变的厚膜，然后将GaN从蓝宝石衬底上剥离下来。 关键技术问题：剥离，激光剥离、空洞辅助剥离 商业化：GaAs衬底上生长GaN，衬底用王水去除。 价格高，每片100万日元。 4.2 II-VI族化合物半导体材料 II-VI族化合物离子键成分更多，极性更强，具有更高的蒸气压，生长单晶更为困难。 II-VI族化合物均为直接跃迁带隙结构，带隙比周期表同一行的III-V族要大 4.2.1 常见的II-VI化合物半导体 化合物 晶体结构 带隙 un up ZnO 纤锌矿 3.37 1000 180 ZnS 闪锌矿 3.66 600 40 ZnS 纤锌矿 3.74 280 100 ZnSe 闪锌矿 2.72 625 30 ZnSe 纤锌矿 2.72 560 110 ZnTe 闪锌矿 2.2 340 100 ZnTe 纤锌矿 2.80 带隙和温度的关系 II-VI族化合物中的点缺陷 II-VI族化合物中的点缺陷： （1）起施主作用 正离子填隙原子、负离子空位、负离子取代正离子、外来杂质 （2）起受主作用 负离子填隙原子、正离子空位、正离子取代负离子、外来杂质 自补偿现象 ZnS, CdS, ZnSe, CdSe只能做成N型，ZnTe只能做成P型，CdTe可以做成N型和P型。 自补偿：掺入杂质是总是伴随着引入具有相反电荷的缺陷中心，二者产生补偿。 例如： 掺入施主杂质，伴随着出现受主型空位，施主释放的电子被受主俘获，不能进入导带，使掺杂失效。 补偿中心：金属离子空位和硫属元素空位 金属离子空位：起受主作用 硫属元素空位：起施主作用 “两性”杂质 ZnSe中掺Li，Li取代Zn起受主作用，同时处于间隙位置，其施主作用，二者产生补偿。 应用 重要的光学和光电材料，在整个可见光波段都是直接带隙，发光效率高 制备平面彩色显示器，激光，发光器件，等 ZnS，薄膜场致发光显示器 CdTe高能辐射，高能粒子探测器 太阳电池，CdS/CdTe 理论转换效率30% 4.2.2 ZnO 目前宽禁带半导体研究的有一个重要热点 ZnO被认为在紫外光电子器件方面具有很好的应用前景，成为继GaN材料之后又一备受关注的半导体光电材料。 ZnO n型掺杂容易，p型掺杂异常困难 ZnO的结构 II-VI族化合物中，Zn和O的电负性相差最大，极性最强。 C轴极性，c/a理想六方结构的数值 在纤锌矿ZnO中，（0001）面和0001方向是主要的生长表面和生长方向 ZnO的极化面对材料的性质和材料的生长、掺杂有重要的影响 （1）Zn极化面，Zn原子作为正电中心，易与具有电负性的原子成键； O极化面，难与具有电负性的原子成键，影响掺杂效率和杂质浓度。 （2）Zn极化面比O极化面具有较快的生长速率。 （3）O面具有较快的腐蚀速度 ZnO中的本征点缺陷 点缺陷：氧空位（VO）、锌空位（VZn）、 锌间隙（Zni）、氧间隙（Oi）、 氧反位（OZn）、锌反位（ZnO） 最重要的点缺陷：氧空位（VO）、锌间隙（Zni），被认为是本征ZnO n型导电的原因。 ZnO的光学性质 ZnO的发光机制非常复杂。 发光机制：带间跃迁发光、激子复合发光、杂质缺陷能级跃迁发光。 可见光发光过程非常复杂，与不同类型的杂质缺陷有关。 紫带发光（3.06eV） 绿带发光（2.45eV） 黄带发光（2.2eV） 红带发光（2.0eV） 紫带发光（3.06eV） 绿带发光（2.45eV）：最典型，争议最多，多数人认为是氧空位缺陷能级跃迁引起的发光。 单价氧空位VO+俘获价带的光生空穴，形成二价氧空位VO++，该缺陷中心为深能级陷阱，光激发到导电的电子往回跃迁时，被VO++陷阱俘获，发出绿光。 黄带发光（2.2eV） 红带发光（2.0eV） 第04章 化合物半导体材料 ZnO的掺杂 本征ZnO是极性半导体，天然呈n型，n型掺杂容易，p型掺杂困难，p型掺杂是一个国际难题。 非故意掺杂、n型掺杂、p型掺杂 （1）非故意掺杂 C, H（生长过程中引入，很难避免） H：两性杂质，在p型半导体中是施主，H+； 在n型半导体中是受主，H- H对ZnO性质的影响：总是施主，浅施主， （i）被认为是本征半导体n型导电的原因，仍有争议 （ii）对受主进行补偿，对p型掺杂不利 （2）n型掺杂 （i）取代Zn IIIA族元素：B, Al