第4_5章场效应管2013解答.pptVIP

对JFET和耗尽型MOS管，由于 GSoff GS DSS D U u I i ) 1 ( 2 - = 对应工作点Q处的gm为 或 该式表明，gm与静态偏压uGSQ成正比，或与静态工作电流IDQ的开方成正比。增大工作电流，可增大gm 。 而对增强型MOSFET，因为 显然，增大宽长比W/L和工作电流，可以提高gm。 则 2. 输出电阻r ds 输出电阻rds定义为 恒流区的rds可以用下式计算 rds很大，为几十千欧以上。 三.极限参数 场效应管也有一定的运用极限，若超过这些极限值，管子就可能损坏。场效应管的极限参数如下： (1). 栅源击穿电压U(BR)GSO。 (2). 漏源击穿电压U(BR)DSO。 (3). 最大功耗PDM：PDM=ID·UDS 一.方波、锯齿波发生器 5. 场效应管作为开关的应用电路举例 　运放A1构成弛张振荡器 A2构成反相积分器 JFET V作为控制开关 二.取样保持电路 三.相敏检波电路 　　运放A1构成符号电路 　　集成运放A2构成低通滤波器，取出uo1的直流分量。 　　集成运放A2构成低通滤波器，取出uo1的直流分量。 作业 4-17, 4-24， 4-25 4.5 场效应管（单极型晶体管） 4.5.1 结型场效应管(JFET) ※N沟道JFET ※ P沟道JFET 4.5.2 绝缘栅场效应管(IGFET) ※ N沟道(IGFET) ※ P沟道(IGFET) 4.5.1 结型场效应管 一. 结型场效应管的结构及工作原理 D S G P沟道 JFET N沟道 JFET 1. 结型场效应管(JFET )的结构、类型及符号 JFET的基本控制原理 改变导电沟道的截面积S或沟道长度L即可改变沟道电阻，进而可改变漏极电流。 RDS 截面积S 2. JFET的工作原理 ① 栅源电压UGS对导电沟道的控制作用(令UDS = 0) UGS≤0 |UGS| 增大 导电沟道进一 步变窄。 |UGS | ≥|UGSoff| (称为夹断电压) 沟道被完全夹断。 可见，UGS对导电沟道的截面积有很强的控制作用，可使其均匀地变窄变宽，当|UGS | ≥|UGSoff|时沟道被完全夹断。 耗尽层向沟道延伸，导电道均匀变窄。 ② 漏源电压UDS对导电沟道的控制作用(UGS=0) UDS≥0 UDS = | UGSoff | 沟道在漏端被夹 断，即预夹断。 UDS | UGSoff | 沟道长度略减小， 截面积基本不变。 可见，UDS在预夹断之前对沟道有控制作用，可使沟道不均匀变窄。预夹断之后对沟道的影响很小，只是沟道的长度略有改变。 耗尽层向沟道延伸， 沟道不均匀变窄。 ③ UGS和UDS共同作用下的导电沟道 输入 信号作用下FET的控制原理 +id 二. 结型场效应管的特性曲线 由于FET的栅极输入端不吸收电流，所以伏安特性包括： 转移特性 输出特性 1. 输出特性 沟道预夹断之前 沟道预夹断之后 预夹断线 1. 恒流区 条件： UGS UGSoff UDS ≥ UGS－UGSoff ②. UGS一定，uDS增大时，由于沟道长度调制效应，iD 仅略有增大，即iD具有恒流特性。 特点： ①. uGS对iD有很强的控制能力。定义控制参量跨导为 输出特性曲线 2. 可变电阻区 条件 ： UGS UGSoff UDS UGS－UGSoff 特点： 当uDS较小时(预夹断前)， iD随uDS近似线性变化， 而变化的斜率受栅源电压uGS控制。表明JFET的D、S端呈现的电阻 将受UGS调变，即UGS越大，RDS越小。 条件： UGS ≤UGSoff UDS ≥UGS－UGSoff 特点： 沟道被全部夹断iD=0，即D、 S间断开。 4. 击穿区 uDS增大到某一值时，