王兴军--2015%20暑期学校PPT-光探测.pptxVIP

Optical detection in silicon photonics;光电探测器是将入射光能量转化为电信号的光电子器件，它不像激光器那样，必须是直接带隙的材料，因此硅虽然是间接带隙材料，也可以制备探测器。 但由于硅的禁带宽度是1.12eV，对1.1μm以上的红外光是透明的。单纯体硅不适合做硅基光电子学所需要的红外探测器，具有良好光响应特性的红外光探测器也因此成为目前研究的重点。 其中，锗在红外波段具有高的响应，同时其制备技术和CMOS工艺兼容，因而锗硅探测器成为目前最有前景的硅基红外光电探测器。;本节课主要内容;光电探测器的基本原理 光电探测器对光信号的吸收 光电探测器的基本原理 光电探测器的特性和结构 光电探测器的性能参数 PIN光电探测器 雪崩光电探测器 硅光电探测器 锗硅光电探测器 Ge/Si材料的基本物理特性 Ge材料制备方法 锗硅波导光电探测器;光发射是发光二极管、激光器的基础 光吸收是光电探测器的基础 本征光吸收、晶格振动吸收、自由载流子光吸收、杂质光吸收、激子光吸收、声子光吸收、双光子吸收、拉曼散射 hvEg 本征光吸收（带间光吸收） ;掺杂半导体中，对于施主能级ED和受主能级EA，无论是ED-Ev还是ED-EA都小于带隙Eg。当电子吸收光子的能量实现电子由EA到Ec或EV到ED的杂质-带边的跃迁、或EA到ED的杂质-杂质的跃迁，都会在价带或导带中产生自由载流子，使杂质能级电离。 这种杂质能级参与的过程，叫杂质能级光吸收。;HvEg 自由载流子光吸收 同载流子浓度成正比，波长平方正比，表明自由载流子对长波长吸收严重。 ;;当光传输了一段距离d=1/α时，Id=I0/e，即光强正好为原来的1/e，d为光波的穿透深度。 实验测得的Si、Ge和GaAs的光吸收系数同光波波长和光穿透深度的关系;光电探测器的基本原理 目前普遍使用的光电探测器是光电二极管。 为了提高光电二极管的响应速度，我们希望光生电子空穴对的产生尽量发生在耗尽层内。 为了进一步提高响应速度，在实际使用时是将光电二极管反向偏置的，;;光电探测器的基本原理 光电探测器对光信号的吸收 光电探测器的基本原理 光电探测器的特性和结构 光电探测器的性能参数 PIN光电探测器 雪崩光电探测器 硅光电探测器 锗硅光电探测器 Ge/Si材料的基本物理特性 Ge材料制备方法 锗硅波导光电探测器;光电探测器的特性和结构;半导体光检测器的特性;由于η与材料的吸收系数α，以及吸收层的厚度W相关。 α(λ)是对应波长λ的吸收系数。由上式可见材料的吸收系数越大，或者吸收层越厚，光电探测器的量子效率就越高。 ;在实际的光电探测器申，光不可能直接由材料表面达到吸收区，而是要经过一定的厚度的重掺杂接触区，在这个区域内会造成一部分光子损耗，同时在光电探测器表面的反射作用也会损失部分入射光。基于这些因素，定义外量子效率为 d为前端接触层厚度，Rf为光电探测器表面的反射率。 为了减小端面反射以提高外量子效率，可以在入射界面涂一层抗反射膜，抗反射膜厚度与波长和折射率有关。 ;实际η在30%-95% 为了获得高量子效率，耗尽层尽量厚，吸收大量的入射光线。 光生载流子电子和空穴漂移到pn结两端所需时间长，响应速度小。 ;;响应时间（响应速度）(带宽);暗电流 在无光的情况下，光电探测器仍有电流输出，这种电流称为暗电流。 由于热激励（主要是由PN结内热效应产生的电子空穴对形成）、宇宙射线及放射性物质的激励， 由耗尽层中载流子的产生-复合电流和耗尽层边界的少数载流子扩散电流，以及表面漏电流构成。 暗电流的大小与偏压和光电二极管的结面积有关，当偏压增大时，暗电流增大；与光电二极管的结面积成正比，故常用单位面积上的暗电流（暗电流密度）来衡量。 一般取偏压是0.9V时，对应的电流值为器件的暗电流值。除了与偏置电压有关外，暗电流还随器件温度的增加而增加，从室温到70℃，暗电流将增加一个数量级。;噪声;信噪比： 提高探测器的灵敏度和降低探测器的噪声。 光接收机： 1、探测器具有高的量子效率，亦高的响应度，以便产生大的光电流信号功率。 2、探测器的噪声尽可能小，放大器电路的噪声也尽可能小。 ;接收灵敏度 能探测的最小入射功率。 暗电流和后面的电子电路的热噪声决定了接收灵敏度。 总的噪声随着调制速率的增加而增加。 ;光电二极管(photodiode);其核心部分是p-n结。所以当p型半导体和n型半导体结合在一起时，p区的空穴将扩散到n区，而n区的电子将扩散到p区，使p变负而n变正。电荷堆积在p-n结两侧形成一自建电场，其方向由n指向p。p区的电子和n区的空穴在自建电场的作用下分别向n区和p区做漂移运动，同时p-n结的自建电