IGBT技术创新与产业发展+1023+北京+V研讨.pptx

IGBT技术创新与产业发展;第一部分; 信息和能量是电的两种属性， 采用半导体技术对信息和电能进行处理，主要产生了微电子技术和功率半导体技术 功率半导体从独立发展，不断走向与微电子技术相融合; IGBT是在MOS器件基础上发展起来的新型功率半导体器件，是传统功率半导体物理和微电子制造技术两者有机结合的产物;功率半导体器件是变频、变流、变压、功率管理和功率放大的核心器件，广泛应用于轨道交通、电力、工业控制等领域，在国民经济和社会生活中具有不可替代的关键作用;功率半导体技术进步，促进轨道交通牵引传动系统更新换代;化石燃料;点对点直流输电;2014年1月，奥巴马揭牌成立美国电力电子国家创新中心，重点研发下一代功率半导体器件技术和产品;第一部分; 物理机理：高压大注入下的特殊物理机制（电导调制，寿命控制…） 特色工艺：深结，厚膜，薄片，高压终端及背面特色工艺 技术难点：功率密度高，最高结温已达200℃，动静态参数折衷难; IGBT技术围绕着如何平衡与优化三者关系，向更大功率、更高密度、更高可靠性发展;功率损耗 (W);;IGBT频率、功率容量不断提升；应用领域不断扩展;国外已形成IGBT完整产业链，技术与产品处于成熟阶段 芯片最大直径为8英寸（200mm） 器件最高阻断电压水平为6500V 主流厂商：英飞凌（代表技术：沟槽栅场截止）、三菱（代表技术：弱穿通） 、ABB （代表技术：增强型软穿通） ;二、技术与产业发展状况;Page ? 18;第一部分;三、发展瓶颈与面临挑战;;三、发展瓶颈与面临挑战;材料、器件研发与应用各环节分立发展，未形成完整产业链条，上下游互动沟通不足;第一部分; 【技术发展1】更高功率密度; 【技术发展2】新型封装技术;基于宽禁带半导体材料（SiC）的IGBT 与硅相比，3倍禁带宽度，10倍临界击穿电场，2倍饱和漂移速度，3倍热导率 应用于超高耐压等级，10kV以上显示出对SiC MOSFET的优势，15kV以上综合体现低功耗与快速的优点 目前主要问题之一是衬底材料的制备;IGBT产业链：依托中国IGBT技术创新与产业联盟，联合国内上下游资源，发挥团队优势，打造自主知识产权的IGBT芯片—模块—系统的完整产业链 IGBT产业集群：模块带动十倍装置、撬动百倍系统应用级规模经济，从而形成万亿规模产业集群; IGBT驱动绿色经济 天更蓝、水更清、生活更美好！; 谢 谢！