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作业 7-5 , 7-8 (2), 7-10, 7-12, 7-13. 1. 选择Cb′e 、 Cb′c和rbb′小高频晶体管作为放大管。 2. 信号源尽可能采用内阻Rs小的电压源。 4. 要尽可能减小分布电容和负载电容CL 3. 折中选择电阻RC。 RC取小,上限频率高,但中频增益降低;反之,RC大,中频增益高,但上限频率降低 共射放大器的高频响应小结 作业 7-1, 7-2, 7-7, 7-8(1)(3). 7.5 共集电极放大器的高频响应 共集放大器如图所示。下面分别说明晶体管结电容和负载电容对放大器高频响应的影响。其高频等效电路如图示。 1. 由于Cb′c很小,当源内阻RS不大时其影响可忽略。 2. 由Cb′e决定的上限频率为 可见, 当RS较小时,由Cb′e产生的上限频率接近特征频率fT。 3. 由负载电容CL决定的上限频率 由于共集电路本身的上限频率非常高,当负载电容CL较大时,由该电容直接决定的上限频率为 其中 而 这表明,由于共集电路输出电阻小, Rp小,因而由时常数RpCL决定的上限频率高。换句话说,从频率特性的角度看,共集电路带容性负载能力强。 究其原因,是由于共集电路具有电压自动调节机制(即电压负反馈)。由图可知,若输入频率不断升高,当输出电压要减小时,会有如下 的自动调整作用: 通过以上分析可以得出如下结论: 共集放大器电压放大倍数虽然小于1,但频率特性要比共射电路好得多,且带容性负载能力强。 7.6 共基电路的高频响应 共基放大器如图所示。下面分别考察晶体管结电容和负载电容对放大器高频响应的影响。 R E R B1 C 3 C 1 R B2 R s U s R L C L C 2 U o R C + - - + U CC r bb ′ ′ C b e ′ C b c 将基区体电阻rbb′拉出后的高频等效通路如图示。 b′ 由于rbb′很小,可忽略其影响,因而b′相当接地。 1. C b′e的影响 由图可知,C b′e相当直接接于输入端与地之间,不存在密勒倍增效应,且与C b′c无关。所以输入电容Ci= Cb′e,由于共基极的输入电阻re极小,因而Cb′e决定的上限频率为 即共基输入回路的上限频率非常高,接近 fα 。 ′ C b e b′ ′ C b c 2. C b′c及CL的影响 如图所示,Cb′c直接并接在输出端与地之间,也不存在密勒倍增效应,则输出端总电容为Cb′c +CL,而与其相并的总电阻Ro′=RC||RL。因此,输出回路决定的上限频率为 R o ′ 可见,当负载电容较大时,共基放大器的上限频率主要由输出回路的上限频率决定。 ′ C b e b′ ′ C b c 通过以上对三种基本放大器的高频分析,可以得出如下结论: 1. 共射放大器本身的高频特性最差,且带容性负载的能力也差,但功率增益最大; 2.共集放大器本身的高频特性好,且带容性负载的能力强,但电压增益小于1; 3. 共基放大器本身的高频特性好,但带容性负载的能力差,且电流增益小于1。 共射放大器作为宽带放大器中的主放大器,可以通过与共集或共基放大器组合,来改善自身的高频特性。常用的组合有: 1). 共集-共射-共集组合电路 特点: 大大减小了源内阻过大对共射输入回路高频特性的影响。 提高了放大器带容性负载C L等的能力。 C b c ′ 2).共射–共基组合电路 提高了共射电路由输入回路决定的上限频率 三种基本放大器高频特性小结 [举例] 电路如图所示,已知β=100,rbe=3kΩ RL=2kΩ, CL=100pF。 4k 4k 试分别确定由CL决定的截止频率。 7.7 场效应管放大器的高频响应 场效应管的高频小信号等效电路 无论是MOS管或结型场效应管,当考虑到极间电容的影响时,其高频小信号等效电路都可以用图示的模型表示。 场效应管共源放大器及其高频小信号等效电路 首先应用密勒定理将其作单向化近似: 场效应管共源放大器单向化模型 (1). 要提高fH,必须选择Cgs 、Cgd 、Cds小的管子。
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