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目 录
一、课程设计目的与要求……………………………………….…………….…..2
二、元件介绍…………………………………………………………………….…....3
三、课程设计原理…………………………………………………………………...6
3.1霍尔效应………………………………………………………………………... 6
3.2测磁场的原理,载流长直螺线管内的磁感应强度 ……………………..8
四、课程设计内容………………………………………………………...………...10
4.1电路补偿调节……………………………………………………………...…..10
4.2失调电压调零 …………………………………………………………….…..10
4.3按图4-3接好信号处理电路……………………………………………......10
4.4按图4-4接好总测量电路……………………………………………….….11
4.5数据记录与处理……………………………………………………….……....12
4.6数据拟合..……………………………………………………………….…........13
五、成品展示……………………………………………………………………….....16
六、分析与讨论………………………………………………………………..….…17
实验所需仪器…………………………………………………………………….……19
个人总结………………………………………………………………………………...20
致谢…………………………………………………………………………….………….21
参考文献………………………………………………………………………..……….22
参考网址…………………………………………………………………………...…….22
一、课程设计目的与要求
1.了解霍尔传感器的工作原理
2.掌握运用霍尔传感器测量磁场的方法
二、元件介绍
CA3140
CA3140高输入阻抗运算放大器,是美国无线电公司研制开发的一种BiMOS高电压的运算放大器在一片集成芯片上,该CA3140A和CA3140 BiMOS运算放大器功能保护MOSFET的栅极(PMOS上)中的晶体管输入电路提供非常高的输入阻抗,极低输入电流和高速性能。操作电源电压从4V至36V(无论单或双电源),它结合了压电PMOS晶体管工艺和高电压双授晶体管的优点.(互补对称金属氧化物半导体)卓越性能的运放。
应用范围:
.单电源放大器在汽车和便携式仪表
.采样保持放大器
.长期定时器
.光电仪表
.探测器
.有源滤波器
.比较器
.TTL接口
.所有标准运算放大器的应用
.函数发生器
.音调控制
.电源
.便携式仪器
3503霍尔元件
UGN3503LT,UGN3503U和UGN3503UA霍尔效应传感器准确地跟踪磁通量非常小的变化,密度变化通常太小以致不方便操作霍尔效应开关。
可作为运动探测器,齿传感器和接近探测器,磁驱动机械事件的镜像。作为敏感电磁铁的显示器,就可以有效地衡量一个系统的负载量可以忽略不计的性能,同时提供隔离污染和电气噪声。每个霍尔效应集成电路包括一个霍尔传感元件,线性放大器和射极跟随器输出级。
三种封装形式提供了对磁性优化包大多数应用程序。封装后缀“LT”是一个缩影SOT-89/TO243AA表面贴装应用的晶体管封装;后缀“U”是一个微型三引脚塑料SIP,而UA是一个三引脚超小型SIP协议。所有器件的额定连续运行温度范围为-20 °C至+85°C。
特点:
·极为敏感·至23 kHz的平坦的响应·低噪声输出·4.5 V至6 V的操作·磁性优化装箱
图2-4 3503霍尔元件封装及引脚图
三、课程设计原理
3.1霍尔效应
图3-1-1 霍尔效应原理图
把矩形的金属或半导体薄片放在磁感应强度为的磁场中,薄片平面垂直于磁场方向。如图3-1-1所示,在横向方向通以电流I,那么就会在纵向方向的两端面间出现电位差,这种现象称为霍尔效应,两端的电压差称为霍尔电压,其正负性取决于载流子的类型。(图3-1-1载流子为带负电的电子,是N型半导体或金属),这一金属或半导体薄片称为霍尔元件。假设霍尔元件由N型半导体制成,当霍尔元件上通有电流时,自由电子运动的方向与电流I的流向相反的。由于洛伦兹力的作用,电子向一侧偏转,在半导体薄片的横向两端面间形成电场
称为霍尔电场,对应的电势差称为霍尔电压UH。电子在霍尔电场中所受的电场力为,当电场力与磁场力达到平衡时,有
若只考虑大小,不考虑方向有
EH =vB
因此霍尔电压
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