磁控与辉光放电汇编.ppt

* * * * 磁控溅射镀膜 单位:物理学院 姓名:王晴 2012.5.18 随着材料科学的发展，近年来薄膜材料作为一种重要的分支从过去体材料一统天下的局面脱颖而出。如过去需要纵多体材料组合才能实现的功能，现在仅需几块电路板或一块集成电路板就能完成。薄膜技术将各种不同的材料灵活的复合在一起，具有异特性的复杂材料体系，发挥每种材料各自的优势，避免优单一材料局限性。薄膜的应用越来越广，因此薄膜的制备研究非常重要。 薄膜的制备方法有物理、化学法。物理法指在真空下，采用各种物理方法将固态镀膜材料转化为原子、分子或离子的气相物质后再沉积于基体表面，从而形成固体薄膜的一类薄膜制备方法。由于粒子发射可以采用不同的方式，因而物理气相沉积技术可以呈现出不同的形式，主要有 真空蒸发镀膜、溅射镀膜、离子镀膜，束流沉积等几种形式。 溅射镀膜： 具有足够高能量的粒子轰击固体（称为靶）表面使其中的原子或分子发射出来。实际的过程是入射粒子通过与靶材碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程，在这种级联过程中，某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。这些溅射出来的原子或分子带有一定的动能，沿着一定方向射向衬底，从而实现薄膜沉积。 一般的溅射镀膜方法具有的缺点： 所需工作气压较高。如果气压太低，电子的平均自由程太长，放电现象不易维持。并导致薄膜被污染的可能性较高。 电子在电场力作用下迅速飞向基片过程中： 电子与Ar原子碰撞几率低，Ar离子密度低，溅射效率低，成膜速度慢 电子运动路径短，轰击基片速度大，导致基片温度升高 磁控溅射:： 阴极靶表面上形成一个正交的电磁场，溅射过程中产生的二次电子在电场作用下飞离靶的过程中又将受到磁场作用而返回靶面，即在电场和磁场作用下作摆线运动。增加气体原子离化效率。 靶材 靶材原子或分子 基片 N S N 磁力线 永久磁铁 磁控溅射的优点 ： 由于电子运动路径大大延长，显著提高阴极位降区的电子密度，所以使溅射气压降低，且降低了薄膜污染的可能性； 电子运动路径变长，Ar原子电离率增大，溅射速率高 电子只有能量耗尽时才运动到基片，基片温度升高不大，可以减少衬底损伤，降低沉积温度； 易实现在塑料等衬底上的薄膜低温沉积。 一般的磁控溅射缺点之一:对靶材的利用率不高 磁控溅射法的改进—— 非平衡磁控溅射法：平衡磁控溅射：阴极的磁场集中于靶面附近有限局域，基片表面没有磁场 非平衡磁控溅射：通过改变磁控靶中的配置方式，改变靶靶面局域磁场分布 非平衡磁控溅射 普通磁控溅射 非平衡磁控溅射法的优点： 普通的磁控溅射阴极的磁场将等离子体约束在靶面附近，基片表面附近的等离子体很弱，只受轻微的离子和电子轰击。 非平衡磁控溅射阴极磁场可将等离子体扩展到远离靶面的基片，使基片浸没其中，可以高速率沉积出多种材料的、附着力强的高质量薄膜。 磁控溅射分类: 直流磁控溅射： 靶材接到电源的阴极，基片接到电源的阳极。首先将溅射室内真空抽至10-5Pa，然后充入氩气，并使压力维持在5Pa左右，通过电极加上一定直流电压，两极间便会产生辉光放电，氩离子轰击阴极，使靶材中性原子逸出，这些中性原子最终沉积到基片上形成薄膜。 直流磁控溅射的缺点： 绝缘体靶材附近的离子无法被中和，只用于良导体的靶材 射频磁控溅射： 介质靶材安装在阴极，加上高频交流电压后，当靶电极处于高频电压负半周期时，正离子对靶面进行轰击引起溅射，并在靶面产生正电荷积累，当靶电极处于高频电压正半周期时，电子对靶面进行轰击,这样就中和了积累于靶面的正电荷,为下一个周期的溅射创造了条件。 射频溅射装置示意图 气体放电 干燥气体通常是良好的绝缘体，但当气体中存在自由带电粒子时，它就变为电的导体。这时如在气体中安置两个电极并加上电压，就有电流通过气体，这个现象称为气体放电。气体放电是气体中流通各种电流的统称。气体放电的种类很多，包括汤森放电、辉光放电、弧光放电等。其中辉光放电一直被用作材料的溅射源。 直流溅射系统中两极间电流和电压的关系曲线 辉光放电 低压气体中显示辉光的气体放电现象 定义：外加电压增加到一定值时，通过气体的电流明显增加，气体间隙整个空间突然出现发光现象。这种放电形式成为辉光放电。 气体的辉光放电意味着部分气体分子开始分解为可以导电的离子与电子，即形成等离子体。 不同的溅射技术采用不同的辉光放电方式。直流溅射是建立在直流辉光放电的基础上；射频溅射是利用射频辉光放电；而磁控溅射是利用环状磁场控制下的辉光放电。 物理机制： 电子从阴极逸出并在电场中加速后，与气体原子碰撞，一部分气体原子会电离，即气体由绝缘体变为导体，即所谓放电；一部分气体原子中的轨道电子受激跃迁到高能态，而后又衰变到基态发射光子，即有光辐射产生即所谓的辉光。 直