第五讲电力电子器件研讨.pptVIP

5.2.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 缓冲电路中的元件选取及其他注意事项 Cs和Rs的取值可实验确定或参考工程手册 VDs须选用快恢复二极管，额定电流不小于主电路器件的1/10 尽量减小线路电感，且选用内部电感小的吸收电容 中小容量场合，若线路电感较小，可只在直流侧设一个du/dt抑制电路 晶闸管在实用中一般只承受换相过电压，没有关断过电压，关断时也没有较大的du/dt，一般采用RC吸收电路即可 5.3 电力电子器件的串联和并联 5.3.1 晶闸管的串联 5.3.2 晶闸管的并联 5.3.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点 5.3.1 晶闸管的串联 目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联 问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀 静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等 承受电压高的器件首先达到转折电压而导通，使另一个器件承担全部电压也导通，失去控制作用 反向时，可能使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿 5.3.1 晶闸管的串联 静态均压措施 选用参数和特性尽量一致的器件 采用电阻均压，Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多 图1-41　晶闸管的串联 a)　伏安特性差异　b)　串联均压措施 5.3.1