2012_半导体物理_3_半导体中载流子的统计分布-2014-10-28导论.ppt

半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 本征载流子浓度 本征费米能级: 任何平衡态非简并半导体载流子浓度积n0p0 等于本征载流子浓度ni的平方； 对确定的半导体料，受式中Nc和Nv、尤其是指数项exp(-Eg/2k0T)的影响，本征载流子浓度ni随温度的升高显著上升。 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 本征载流子浓度 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布 SCNU 光电学院 * 可以由实验测定高温下的霍耳系数和电导率，从而得到很宽温度范围内本征载流子浓度与温度的关系，作出lnniT-3/2~1/T关系直线; 从直线的斜率可求得T＝0K时禁带宽度Eg(0)=2k0ⅹ斜率，得到锗、硅、砷化嫁的Eg(0)分别为0.78eV,1.21eV和1.53eV，与用光学方法测得的数值相符合。 本征载流子浓度的测量 半导体物理学 第3章 半导体中载流子的统计分布