第2章门电路1汇编.ppt

2.3 TTL集成门电路 一、TTL与非门工作原理 0.3V 1.0V 3.6V T2，T5截止 1. 有一个输入端输入低电平 T4 ， D3导通 2.1V 3.6V 3.6V T2饱和 T5深度饱和 0.7V 1.0V T3，T4截止 0.3V 2. 两个输入端都输入高电平 功能表 真值表 逻辑表达式 输入有低，输出为高；输入全高，输出为低。 74LS00内含4个2输入与非门，74LS20内含2个4输入与非门。 2、TTL非门、或非门、与或非门、与门、或门及异或门 ①A=0时，T2、T5截止，T3、T4导通，Y=1。 ②A=1时，T2、T5导通，T3、T4截止，Y=0。 TTL非门 ①A、B中只要有一个为1，即高电平，如A＝1，则iB1就会经过T1集电结流入T2基极，使T2、T5饱和导通，输出为低电平，即Y＝0。 ②A＝B＝0时，iB1、iB1均分别流入T1、T1发射极，使T2、T2、T5均截止，T3、T4导通，输出为高电平，即Y＝1。 TTL或非门 ①A和B都为高电平（T2导通）、或C和D都为高电平（T‘2导通）时，T5饱和导通、T4截止，输出Y=0。 ②A和B不全为高电平、并且C和D也不全为高电平（T2和T‘2同时截止）时，T5截止、T4饱和导通，输出Y=1。 TTL与或非门 二、TTL电路的特性和参数 抗干扰能力 (1)输出高电平VOH 典型值：3.6V VOH(min) =2.4V (2)输出低电平VOL 典型值：0.3V VOL(max) =0.4V (3)输入高电平VIH VIH(min)=VON=2.0V 保证输出为低电平的最小输入高电平 (4)输入低电平VIL VIL(max)=VOFF =0.8V 保证输出为高电平的最大输入低电平 (5)噪声容限 VNH= VOH(min) – VON VNL= VOFF– VOL(max) 2. 带负载能力 (1)输入低电平电流IIL 典型值1.6mA (2)输入高电平电流IIH 典型值40uA (3)输出低电平电流IOL 带灌电流负载能力___典型值16mA IOL(max)是指输出低电平达到0.4V的最大输出电流 T4截止 T5饱和 IOL=IC5 (4)输出高电平电流IOH 带拉电流负载能力___典型值0.4mA IOH(max)是指输出高电平达到2.4V的最大输出电流 IOH=IE4 (5)扇出系数NO 门电路能够驱动同类门电路的个数 NOH=IOH/IIH NOL=IOL/IIL NO =min(NOH , NOL) 3.平均传输延迟时间tPd tPHL输出由高电平 变为低电平的时间 tPLH输出由低电平 变为高电平的时间 tPd=(tPHL+ tPLH)/2 表1 CMOS器件型号组成符号及意义 第1部分 第2部分 第3部分 第4部分 产品制造单位 器件系列 器件品种 工作温度范围 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 CC CD TC 中国制造的类型 美国无线电公司产品 日本东芝公司产品 40 45 145 系 列 符 号 阿 拉 伯 数 字 器 件 功 能 C E R M 0～70℃ -40～85℃ -55～85℃ -55～125℃   几家国外公司CMOS产品代号 国别 公司名称 简 称 型号前缀 美国 美国无线电公司 摩托罗拉公司 国家半导体公司 德克萨斯仪器公司 RCA MOTA NSC TI CD×× MC×× CD×× TP×× 日本 东芝公司 日立公司 富士通公司 TOSJ TC×× HD×× MB×× 荷兰 飞利浦公司 HFE×× 加拿大 密特尔公司 MD×× 2. 74C××系列 74C××系列有：普通74C××系列、高速CMOS74HC××/HCT××系列及先进的CMOS74AC××/ACT××系列。 2.7 其它类型的MOS集成电路 图2.7.1 PMOS反相器电路 图2.7.2 NMOS反相器电路（a）增强型负载（E/E MOS）（b）耗尽型负载（E/D MOS） 图2.7.3 NMOS反相器负载管的伏安特性 图2.7.4 NMOS反相器的输出特性（ vI = 0 时） 返回 图2.7.1 PMOS反相器电路 返回 2.7.1 PMOS电路 图2.7.2 NMOS反相器电路（a）增强型负载（E/E MOS） （b）耗尽型负载（E/D MOS） 返回 2.7.2 NMOS电路