第3章场效应管及其放大电路汇编.ppt

3.1 场效应管  （1） 对导电沟道宽度及漏极电流 的控制作用  （2） 对导电沟道宽度及漏极电流 的影响 3．共漏极放大电路的动态分析 （1） （2） （3） 第3章 作业 3.1 3.2 3.4 3.5直接做在书上。 3.6 3.7做作业本上，上交 第3章 场效应管及其放大电路 场效应管 3.1 场效应管放大电路 3.2 场效应管也称单极型晶体管∶具有噪声小、抗辐射能力强、输入阻抗高等优点。 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c； 有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导电沟道 3.1.1 结型场效应管 P 沟道结型场效应管 N 沟道结型场效应管 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 VGS（off） 1. 工作原理 夹断电压常用 或 表示。 vGDVP vGS＞VP且不变，vDS增大，iD增大。 vGD＝VP 预夹断 设 为固定值，且 。 设 为固定值，且 。 vGD＝VP 预夹断 vGDVP vDS的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于vGS。 2. 结型场效应管的特性曲线及电流方程 （1）输出特性 g-s电压 控制d-s的 等效电阻 预夹断轨迹，vGD＝VP 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于vGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子VP、IDSS将不同。 低频跨导： 饱和漏极电流 （2）转移特性 场效应管工作在恒流区，因而vGS＞VP且vGD＜VP。 夹断电压 漏极饱和电流 3.1.2 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，因此而得名。 又因为绝缘栅型场效应管中各电极为金属铝，绝缘层为氧化物，导电沟道为半导体，故又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称为MOS管—Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。 1．N沟道增强型MOS管 衬底 SiO2绝缘层 高掺杂 漏极 栅极 源极 结构示意图 电路符号 （1）工作原理 （a）耗尽层的形成 （b）导电沟道的形成  ① 对导电沟道宽度及漏极电流 的控制作用 耗尽层 空穴 大到一定值才开启 反型层 vGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 使导电沟道刚刚形成的栅源电压 称为开启电压， 用VT表示，有时也用VGS(th)表示。  ② 对导电沟道宽度及漏极电流 的控制作用 设 且为定值。 刚出现夹断 iD几乎仅仅受控于vGS vDS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 （2）特性曲线和电流方程 （a）输出特性 （b）转移特性 开启电压 电流方程： 耗尽型MOS管在 vGS＞0、 vGS ＜0、 vGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在vGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 vGS=0时就存在导电沟道 2．N沟道耗尽型MOS管 3．P沟道MOS管 P沟道MOS管是在N型衬底表面生成P型反型层作为导电沟道。P沟道MOS管与N沟道MOS管的结构和工作原理类似，并且也有增强型和耗尽型两种。使用时，栅源电压 和漏源电压 的极性与N沟道MOS管相反。 3.1.3 场效应管的主要参数 1．直流参数 （1）开启电压 是增强型MOS管的参数。是使漏极电流大于零所需要的最小栅源电压。 （2）夹断电压 是结型场效应管和耗尽型MOS管的参数。 是结型场效应管和耗尽型MOS管的参数。 当栅源电压等于零，而漏源电压大于夹断电压时的漏极电流，称为饱和漏极电流。 （3）饱和漏极电流 （4）直流输入电阻 结型管的 大于 Ω， MOS管的 大于 Ω。 2．交流参数 （1）低频跨导 （2）输出电阻 一般约为几十千欧到几百千欧。 （3）极间电容 场效应管的三个电极之间均存在极间电容。在低频情况下，它们的影响可以忽略不计，在高频情况下，必须予以考虑。 3．极限参数 （1）最大漏极电流 是管子正常工作时允许的最大漏极电流。