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3.1 场效应管 (1) 对导电沟道宽度及漏极电流 的控制作用 (2) 对导电沟道宽度及漏极电流 的影响 3.共漏极放大电路的动态分析 (1) (2) (3) 第3章 作业 3.1 3.2 3.4 3.5直接做在书上。 3.6 3.7做作业本上,上交 第3章 场效应管及其放大电路 场效应管 3.1 场效应管放大电路 3.2 场效应管也称单极型晶体管∶具有噪声小、抗辐射能力强、输入阻抗高等优点。 场效应管有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d),对应于晶体管的e、b、c; 有三个工作区域:截止区、恒流区、可变电阻区,对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导电沟道 3.1.1 结型场效应管 P 沟道结型场效应管 N 沟道结型场效应管 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 VGS(off) 1. 工作原理 夹断电压常用 或 表示。 vGDVP vGS>VP且不变,vDS增大,iD增大。 vGD=VP 预夹断 设 为固定值,且 。 设 为固定值,且 。 vGD=VP 预夹断 vGDVP vDS的增大,几乎全部用来克服沟道的电阻,iD几乎不变,进入恒流区,iD几乎仅仅决定于vGS。 2. 结型场效应管的特性曲线及电流方程 (1)输出特性 g-s电压 控制d-s的 等效电阻 预夹断轨迹,vGD=VP 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于vGS 击 穿 区 夹断区(截止区) 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子VP、IDSS将不同。 低频跨导: 饱和漏极电流 (2)转移特性 场效应管工作在恒流区,因而vGS>VP且vGD<VP。 夹断电压 漏极饱和电流 3.1.2 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离,因此而得名。 又因为绝缘栅型场效应管中各电极为金属铝,绝缘层为氧化物,导电沟道为半导体,故又称为金属—氧化物—半导体场效应管,简称为MOS管—Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)。 1.N沟道增强型MOS管 衬底 SiO2绝缘层 高掺杂 漏极 栅极 源极 结构示意图 电路符号 (1)工作原理 (a)耗尽层的形成 (b)导电沟道的形成 ① 对导电沟道宽度及漏极电流 的控制作用 耗尽层 空穴 大到一定值才开启 反型层 vGS增大,反型层(导电沟道)将变厚变长。当反型层将两个N区相接时,形成导电沟道。 使导电沟道刚刚形成的栅源电压 称为开启电压, 用VT表示,有时也用VGS(th)表示。 ② 对导电沟道宽度及漏极电流 的控制作用 设 且为定值。 刚出现夹断 iD几乎仅仅受控于vGS vDS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 (2)特性曲线和电流方程 (a)输出特性 (b)转移特性 开启电压 电流方程: 耗尽型MOS管在 vGS>0、 vGS <0、 vGS =0时均可导通,且与结型场效应管不同,由于SiO2绝缘层的存在,在vGS>0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 vGS=0时就存在导电沟道 2.N沟道耗尽型MOS管 3.P沟道MOS管 P沟道MOS管是在N型衬底表面生成P型反型层作为导电沟道。P沟道MOS管与N沟道MOS管的结构和工作原理类似,并且也有增强型和耗尽型两种。使用时,栅源电压 和漏源电压 的极性与N沟道MOS管相反。 3.1.3 场效应管的主要参数 1.直流参数 (1)开启电压 是增强型MOS管的参数。是使漏极电流大于零所需要的最小栅源电压。 (2)夹断电压 是结型场效应管和耗尽型MOS管的参数。 是结型场效应管和耗尽型MOS管的参数。 当栅源电压等于零,而漏源电压大于夹断电压时的漏极电流,称为饱和漏极电流。 (3)饱和漏极电流 (4)直流输入电阻 结型管的 大于 Ω, MOS管的 大于 Ω。 2.交流参数 (1)低频跨导 (2)输出电阻 一般约为几十千欧到几百千欧。 (3)极间电容 场效应管的三个电极之间均存在极间电容。在低频情况下,它们的影响可以忽略不计,在高频情况下,必须予以考虑。 3.极限参数 (1)最大漏极电流 是管子正常工作时允许的最大漏极电流。
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