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第七章扫描成像 扫描成像：依靠探测元件和扫描镜对目标物以瞬时视场为单位进行的逐点逐行取样，从而得到目标地物电磁辐射特性信息，利用光电效应和光热效应，将辐射能转换成电能（电流、电压），或者是其他物理特性（体积、压力等）的变化，从而对物体进行探测。 探测波段：包括紫外、可见光、红外、微波 第七章扫描成像 第一节扫描探测器工作原理 第二节电子扫描成像 第三节光学机械扫描成像 第四节固体自扫描成像 第一节扫描探测器工作原理 探测器主要性能参数 半导体导电机理 扫描探测器的工作原理 一、探测器主要性能参数 1、响应率 响应率：到达探测器上的单位辐射功率所产生的电压,即输出电压与输入辐射能量之比，表达式为 R = Vs / φ Vs ：输出电压（V），φ：输入的电磁辐射能（W）。 一、探测器主要性能参数 2、响应波长范围 光谱响应曲线：探测器的响应率与入射辐射的波长之间的关系曲线。 峰值波长：最大响应峰所对应的波长λp。 截止波长：响应率下降到峰值的一半时所在的波长λc1、λc2，探测器的使用波长λc1—λc2。 一、探测器主要性能参数 3、噪声电压（Vn）和等效噪声功率（NEP） 噪声电压：探测器在工作时本身所固有的一些毫无规律的，事前无法预测的随机电压起伏，简称噪声。 等效噪声功率：若投射到探测器上面的辐射通量产生的输出电压正好等于探测器本身的噪声电压，则这个辐射量就叫做等效噪声功率（ NEP ）。 NEP = Vn / （ Vs / φ） NEP就是信噪比（ Vs / Vn ）等于1时的入射辐射通量。 一、探测器主要性能参数 3、噪声电压（Vn）和等效噪声功率（NEP） 经过分析，发现NEP与检测元件的面积A和放大器带宽Δf 乘积的平方根成正比，比例系数的倒数称为探测灵敏度D*。 一、探测器主要性能参数 4、响应时间 当一定能量的辐射突然到达探测器的敏感面上时，探测器的输出电压要经过一定的时间才能上升到与这一辐射通量相对应的数值；当辐射突然除去后，输出电压也要经过一定的时间，才能下降到辐射之前的原有值。一般而论上升下降所需时间是相等的，这一段时间就称为探测器的响应时间。 二、半导体导电机理 自然界物体根据其导电性可分为三类： 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 二、半导体导电机理 二、半导体导电机理 二、半导体导电机理 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 二、半导体导电机理 半导体的导电机理： 价电子在获得一定能量 （温度升高或受光照）后，即可 挣脱原子核的束缚，成为自由电 子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为 空穴（带正电）。在其它力的作用下，空穴吸引附 近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移， 而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为 空穴是载流子。 二、半导体导电机理 1、温度的影响 二、半导体导电机理 1、温度的影响 二、半导体导电机理 2、杂质的影响 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 二、半导体导电机理 2、杂质的影响 N 型半导体 二、半导体导电机理 2、杂质的影响 P 型半导体 二、半导体导电机理 3、P N结 三、扫描探测器的工作原理 扫描探测器，根据其探测过程的物理机制，可分为： 光子或电子探测器 热探测器 三、扫描探测器的工作原理 1、光子或电子探测器 光子或电子探测器包括光电探测器、光电导探测器、光生伏特探测器和光磁电探测器等多种类型。 三、扫描探测器的工作原理 1、光子或电子探测器 （1）光电探测器 光电探测器：根据光电效应，由金属材料制成的探测器。 探测器中的电子直接吸收光子的能量，使运动状态发生变化而产生电信号，常用于探测红外辐射和可见光。 光电效应的产生，取决于材料表面的脱出功A和入射光的频率υ。 截止波长：