电子束物理气相沉积的多晶硅压阻MEMS压力传感器的制造概述.docxVIP

Sensors and Actuators A 223 (2015) 151–158 内容列表在science direct 传感器与执行器A：物理 杂志主页： HYPERLINK /locate/sna /locate/sna 电子束物理气相沉积多晶硅压阻式 MEMS压力传感器制造 摘要: MEMS压力传感器制造工艺在微处理过后的批量生产晶片方面有一系列困难。本文对制造工艺步骤进行了优化，其中，隔膜形成后的光刻步骤被减少。反应离子蚀刻（RIE）和低压化学汽相淀积（LPCVD）已经随着修改进程被取代。基于电子束物理气相沉积（EBPVD）的多晶硅薄膜为了达到薄层电阻率的要求，也进行了优化。扎根在EBPVD多晶硅压阻式传感元件上的MEMS压力传感器已经成功制备，表征了灵敏度、线性度和可重复性。 ? 2015 Elsevier B.V.版权所有 1.引言 自从微机电系统（MEMS）在20世纪80年代的发展，基于MEMS技术的压力传感器被认为当今仍主导市场的最有意义的装置之一。理查德等人[1]曾报道称，压力传感器将在2014年成为收入顶端的MEMS器件。MEMS压力传感器的平均价格取决于所使用的制造工艺，芯片和封装类型的校准。MEMS压力传感器感测方法可分为压阻式和电容式。为实现高动态范围，电容式压力传感器需要比压阻式压力传感器三倍更大的区域。因此，由于压阻感测方法尺寸小，成本低，高分辨率，低相位滞后，和高动态范围[2]，它们被广泛应用于MEMS压力传感器。传统的压阻式MEMS压力传感器由惠斯通电桥结构中体微加工硅膜片上的四个扩散或离子注入压敏电阻器组成。通常，由p-n结隔离压敏电阻器基板。由于p-n结的漏电流随着温度的升高而增大，压敏电阻器不能用于高温应用。一些研究人员使用分离氧气注入（SIMOX）技术[3-5]，其他研究人员使用多晶硅技术，均用来解决上述问题。多晶硅成为用于各种应用和微机电系统的微电子界多用途材料[6-10]。1974年，第一代多晶硅压阻式压力传感器[11]发展之后，许多的压力传感器就不同的修饰[10-16]进行了讨论。使用多晶硅比SIMOX技术更有成本效益。在多晶硅压阻式压力传感器制造中，低压化学汽相淀积（LPCVD）掺杂多晶硅薄膜用于惠斯通电桥结构中Si3N4/SiO2/Si 或 SiO2/Si隔膜上整合压敏电阻器[12,17]。 隔膜是压力传感器的至关重要的组成部分，其通常由此方法实现，在KOH或TMAH水溶液中通过体微加工空腔蚀刻在硅（1 0 0）晶片表面。传感器的灵敏度高度取决于隔膜厚度、膜片尺寸和其上压敏电阻器的位置。许多研究者一直为不同类型隔膜蚀刻方法的开发作着努力，包括前蚀刻和背蚀刻法[20-23]。MEMS压力传感器完整的批量制作工艺对隔膜的形状和尺寸有着高度影响。 本文使用非传统的电子束物理气相沉积（EBPVD）方法，和随后的淀积多晶薄膜来实现方形隔膜上作为传感元件的压敏电阻器[24]。工艺步骤的设计方法在传感器的批量制造中，可以轻松实现制备成功率的提高。制作成功后，晶圆级测试完成，随后晶片切割成单独的传感器芯片。合适的包装模块已被提交进行批量制造工艺关于线性、迟滞性和可重复性的性能测试。 2、实验 2.1实际参数的考虑 压力传感器的基本设计是基于惠斯通电桥电路中的压阻效应，如图1。惠斯通电桥的每个臂由压变电阻组成（图1（a））。各个电阻器的位置如图放置为使得膜片偏转，两个相对电阻器的电阻增加，而其他两个下降。图1（b）表明，应力在膜片的边缘为正，在膜片的中间为负。与应力的拉伸和压缩区域相互作用使得压敏电阻器相反地改变它们的值。因此，桥的两个电阻置于一种类型的应力区域中，而剩下的两个被放置在应力的相反类型区域。在这项工作中，隔膜上的压敏电阻器布置示于图1（c）。两个电阻器被放置在所述膜片的两个相对边缘，其中每个电阻器距离边缘的距离为100μm，其余两个电阻被安置在隔膜的中间。电阻器形状的选择确保了由于膜片应变所需的改变[25]。压力传感器的灵敏度以V /磅为单位测量，强烈受四个电阻器的位置、隔膜的面积和其厚度的影响[26]。MEMS压力传感器装置设计参数的细节示于图1。 传感器芯片的剖面结构示于图1（d），主要设计参数如下，芯片尺寸：4 mm×4mm，隔膜尺寸：2mm×2mm，电阻值：1.5-2KΩ，电阻线长：400μm，电阻线宽：10μm，接触垫位置：距离隔膜边缘250μm，接触垫尺寸：200μm×200μm，金属线宽：20μm，隔膜厚度：50-75μm（TMAH蚀刻后）。根据这些设计参数，81传感器