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07_04_电导和霍耳效应 —— 半导体电子论 07_04 电导和霍耳效应 1 半导体电导率 在一般电场情况下,半导体的导电服从欧姆定律 —— ?为电导率 —— 半导体中可以同时有两种载流子 —— 空穴和电子在外场下获得的平均漂移速度 电流密度 平均漂移速度和外场的关系 —— 空穴和电子的迁移率 欧姆定律 电导率 电流密度 载流子漂移运动 —— 是电场加速和半导体中散射的结果 散射来自于晶格振动和杂质 —— 温度较高时,晶格振动对载流子的散射是主要的 —— 温度较低时,杂质的散射是主要的 —— 迁移率一方面决定于有效质量 ______ 加速作用 另一方面决定于散射几率 电导率 杂质激发的范围,主要是一种载流子 掺杂不同的Ge半导体 —— 导电率随温度变化 低温范围 杂质激发的载流子起主要作用 —— 载流子的数目与 掺杂的情况有关 2) 高温范围,本征激发的载流子起主要作用 —— 载流子的数目与掺杂的情况无关 3) 中间温度区间 温度升高时,导电率反而下降 —— 晶格散射作用 2 半导体的霍耳效应 半导体片置于xy平面内 —— 电流沿x方向 —— 磁场垂直于半导体片 空穴导电P型半导体 —— 载流子受到洛伦兹力 半导体片两端形成正负电荷的积累,产生静电场 达到稳恒,满足 电流密度 电场强度 —— 霍耳系数 —— 电子导电的N半导体 电场强度 —— 霍耳系数 —— 半导体的霍耳系数与载流子浓度成反比 —— 半导体的霍耳效应比金属强得多 —— 测量霍耳系数可以直接测得载流子浓度 —— 确定载流子的种类 霍耳系数为正 —— 空穴导电 霍耳系数为负 —— 电子导电 —— 霍耳系数 —— 霍耳系数 —— 将电导和载流子浓度的测量结果与理论计算结果比较 获得带隙宽度,杂质电离能和杂质浓度等信息
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