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3. 化学气相沉积法(CVD) 一种或几种气态元素在一个加热的基片上进行化学反应，而形成不挥发的固态膜层的过程称为化学气相沉积(CVD)。 CVD装置： 气瓶1 气瓶2 气瓶3 S × S × S × 阀 阀 质量流量计 加热线圈 样品 排气 石英支承板 热分解反应沉积： 在加热基片上进行的热分解反应而形成的固态膜。 SiH4(气) → Si(固) + 2H2(气) △ CH4(气) → C(固) + 2H2(气) △ GeH4(气) → Ge(固) + 2H2(气) △ 2AlC3(气) +3CO2 (气) +3H2(气) → Al2O3(固) +6HCl↑+3CO↑ △ (CH3)Ga(气) +AsH3 (气) → GaAs(固) + 3CH4↑ △ 3SiH4(气) +4NH3 (气) → Si3H4(固) + 12H2↑ △ 化学反应沉积： 在加热基片上进行的化学反应而形成的固态膜。 化学气相沉积条件： ①在沉积温度下，反应物必须有足够高的蒸气压； ②反应的生成物,除了所需要的沉积物为固态外， 其余都必须是气态； ③沉积物本身的蒸汽压应足够低，以保证在整个 沉积反应过程中能使其保持在加热的基体上。 优点：a.成膜纯度高、致密、结晶定向好； b.能在较低温度下制备难熔物质,如W、Mo、Ta等； c.便于制备各种复合材料，因为成份及比例易控。 缺点：基片温度高,沉积速度较低,几个微米/小时,参加 沉积反应的气源和反应后的余气都有一定的毒性。 4. 等离子体化学气相沉积法(PECVD) 为了使化学反应能在 较低的温度下进行，利用 了等离子体的活性来促进 反应，因而这种CVD称为 等离子体增强化学气相沉 积(PECVD)即： 高频辉光放电形成等离子体 +化学反应 = PECVD 反应气体 接射频电源 样品 抽气 成膜机理： 辉光放电等离子体中： 电子密度高 (109~1012/cm3) 电子气温度比普通气体分子温度高出10-100倍 ∵ 虽环境温度(100-300℃)，但反应气体在辉光放电 等离子体中能受激分解，离解和离化，从而大大 提高了参与反应物的活性。 因此，这些具有高反应活性的中性物质很容易被吸附到较低温度的基板表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。 优点： 基本温度低；沉积速率快； 成膜质量好，针孔少，不易龟裂。 5. 光CVD 为了在膜的局部形成指定膜成份，发展了光CVD. 其基本原理： M + hv(光子) → M*(激发态) 受激分子具有额外能量hv,成了一种新的化学粒子,化学活性增大，与其它气体易反应，例如： 离子镀膜技术 Ion Plating §4.4 离子镀膜技术 ★ 离子镀膜的原理 ★ 离子镀膜的特点 ★ 离子轰击的作用 ★ 离子镀膜的类型 离子镀是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分离化，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时把蒸发物或其反应物沉积在基片上。 离子镀把气体的辉光放电、等离子体技术与真空蒸发镀膜技术结合在一起，不仅明显地提高了镀层的各种性能，而且大大地扩充了镀膜技术的应用范围。 近年来在国内外都得到迅速发展。 离子镀膜技术——离子镀膜的原理 ★ 离子镀膜的原理 离子镀膜系统典型结构 基片为阴极，蒸发源为阳极，建立一个低压气体放电的等离子区； 镀材被气化后，蒸发粒子进入等离子区被电离，形成离子，被电场加速后淀积到基片上成膜； 淀积和溅射同时进行； 离子镀膜技术——离子镀膜的原理 离子镀膜的成膜条件 淀积过程： 溅射过程： 实现离子镀膜的必要条件 造成一个气体放电的空间； 将镀料原子(金属原子或非金属原子)引进放电空间，使其部分离化。 μ为淀积原子在基片表面的淀积速率；ρ为薄膜质量密度；M为淀积物质的摩尔质量；NA阿佛加德罗常数。 j是入射离子形成的电流密度 离子镀膜技术——离子镀膜的特点 ★ 离子镀膜的优点 膜层附着性好；溅射清洗，伪扩散层形成 膜层密度高（与块体材料相同）；正离子轰击 绕射性能好； 可镀材料范围广泛； 有利于化合物膜层的形成； 淀积速率高，成膜速率快，可镀较厚的膜； 清洗工序简单、对环境无污染。 离子镀膜技术——离子镀膜的特点 ★ 离子镀膜的缺点 薄膜中的缺陷密度较高，薄膜与基片的过渡区较宽，应用中受到限制（特别是电子器件和IC）。 由于高能粒子轰击，基片温度较高，有时不得不对基片进行冷却。 薄膜中含有气体量较高。 离子镀膜技术——离子轰击的作用 ★ 离子轰击的作用 离子镀膜的整个过程中都存在着离子轰击。 离化率：是指被电离的