7少子寿命测试精编.ppt

小结 非平衡载流子及少子寿命 -平衡载流子浓度 -非平衡载流子 -载流子的光注入 -小注入 -少数载流子寿命 少子寿命影响因素 少子寿命的测试方法简介 -微波光电导衰减法 -红外载流子密度成像法 课程论文要求 内容 格式 论文封面（课程名称，学生姓名，学号，等等） 当体少子寿命小于1μs，无论 S 多大，偏差小于10%。 影响有效少子寿命的因素 表面复合所导致的测试偏差的影响因素 当表面状态一定时，体少子寿命降低，有效少子寿命也降低。 影响有效少子寿命的因素 少子寿命测试方法 少子寿命测试方法 微波光电导衰减法μ- PCD (Microwave Photoconductivity Decay) 红外载流子密度成像法 CDI (Carrier Density Imaging) 所有测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个方面 微波光电导衰减法 微波源产生红外脉冲激光； 红外脉冲激光激发产生非平衡载流子； 样品电导率随时间的变化通过样品对微波的反射加以检测； 微波探测器探测发射和反射的微波谱。 微波光电导衰减法 通过电导率的变化来反映载流子的寿命 微波光电导衰减法 红外脉冲激光源(905nm) 微波源和信号接收(10 ± 0.5 GHz) 微波光电导衰减法 实验装置 微波光电导衰减法 表面光电压瞬态谱信号的指数衰减 低注入水平下，一定的频率下，发射和反射微波信号差正比于非平衡载流子浓度Δn。 选取不同的频率，信号差有时正有时负。 无论如何都和非平衡载流子浓度Δn成正比 信号呈指数衰减，即呈现出非平衡载流子衰减的规律。 通过拟合指数衰减信号得到少子寿命的值。 对样品表面连续点扫描可以得到少子寿命分布图。 微波光电导衰减法 拟合点数 一般1024 信号范围 时间范围 测试平均次数 时间起点 时间起点的信号值 微波频率 激光功率 选择合适的测试参数范围可以减少误差，一般Autosetting可自动选择测试参数 前面一段数据由于高注入偏离指数衰减规律。 从Time cursor算起拟合指数拟合信号得到少子寿命τ 微波光电导衰减法 光电导法测试少子寿命：瞬态vs.稳态方法 直接测出非平衡载流子的空间分布，并反映出载流子的寿命信息 红外载流子密度成像法 红外载流子密度成像法 红外载流子密度成像法 测量少数载流子寿命方法 很多，最常用的是光电导衰退法(PCD)，其次是表面光电压法。这两种方法 (指直流PCD)已被美国材料测试学会(ASTM)列为少数载流子寿命的标准测试 方法。 PCD有三种：直流PCD、高频PCD和微波PCD。这三种方法的基本原 理和数据处理均相同，只是对式样中非平衡载流子衰退过程所用的检测技术 不同而已。直流PCD测试方便迅速，结果比较可靠，得到广泛应用。但只适 用于硅锗等间接带隙半导体材料。 A 实验原理 以光子能量大于禁带宽度的光照射半导体，位于价带的电子受激发跃迁 到导带，产生电子--空穴对，形成非平衡载流子 。光注入时，半导体 电导率的变化为： （2-1） 假设符合下列条件： ① 样品是均匀的，no即 或Po在样品各处是相同的 ② 在样品中没有陷阱存在（即符合 ） ③非平衡载流子在样品表面复合可以忽略不计 ④ 小注入条件 （2-1）式可简化为： （2-2） a) 如果非平衡载流子在样品表面复合掉的部分可以忽略，那么光激发的 非平衡载流子在样品内可以看成是均匀分布。 设 t=0 时停止照射，非平衡电子和空穴将不断复合而逐渐减少 。少数 载流子空穴复合寿命为 ， 为单位时间内非平衡载流子复合的几率， 为复合率。有：