MoSi2薄膜电子性质的第一性原理研究论述.docVIP

MoSi2薄膜的第一性原理研究 彭琼钟建新? （湘潭大学，湘潭 411105） 采用第一性原理计算方法，研究了四方MoSi2薄膜的电性质。计算结果表明，各种厚度的薄膜都是金属性的，并且随着厚度的增加，其态密度与能带结构都逐渐趋近于块体的。通过对MoSi2薄膜磁的分析，发现三个原子层厚的薄膜具有磁性，其净磁矩为0.33μB；而当薄膜的厚度大于三个原子层时，薄膜不具有磁性。单侧加氢饱和以及双侧加氢饱和结构下三原子层厚MoSi2薄膜的电子性质研究，发现单侧加氢饱和的三原子层MoSi2薄膜，其净磁矩为0.26μB，而双侧加氢饱和三原子层MoSi2薄膜是。双侧未饱和与单侧加氢饱和的三原子层厚MoSi2薄膜的自旋极化率分别为30%和33%。研究结果表明，三原子层厚的MoSi2超薄薄膜在悬或者生长基底之上时具有磁性，等方面都有潜在的应用。 关键词：硅化钼；电性质；薄膜材料；第一性原理81.05.Je, 79.90.+f, 73.61.-r, 63.20.dk (71.15.Mb) 基金: 通讯作者.E-mail:电话：? 通讯作者.E-mail: jxzhong@xtu.edu.cn 电话：1 引 言 过渡金属硅化物化学性质稳定，耐腐蚀，而且和传统的硅技术能很好地兼容，是一类具有广阔应用前景的材料[1]。MoSi2熔点很高（2030℃），密度较低（6.24 g/cm3），高温稳