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第二章3-半导体和超导概述.ppt

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集成电路的编织(Fabrication ) 封装好的集成电路 集成电路的内部的集成元件线度很小,现在可以达到0.1微米,一粒灰尘就可以使其中一个电容短路,一次静电放电就可以烧毁几个电阻, 因此集成电路的制造车间空气必须为超高纯净 大规模集成电路(VLIC) 集成电路的组成就是大量、但非常微小的晶体管、电容、电阻的组合,应用及其广泛。 大规模集成电路的制造(硅基片) 收音机、手机等各种电器越练越轻巧,就是各种集成电路的应用结果 CPU的散热片 最小的集成电路,用来钞票防伪 2.5 超导电性 一、超导电现象 ——在一定低温条件下,金属(后来发现氧化物)突然失去电阻的现象。(电阻为0) 临界转变温度:超导体电阻降为零的温度。 超导态:金属失去电阻的状态。 二、超导体的三个属性 (1)零电阻——完全导电性 (2)迈斯纳效应——完全抗磁性 (3)通量量子化 发展方向:由单质向化合物,由低温向高温,理论仍有缺陷(量子力学也不能解释氧化物超导现象) 表征超导体性质的三个指标 (1)转变温度(实用在液氮温度) (2)临界磁场强度 (3)临界电流 超导体分为I类和II类 I类有一个临界磁场 II类有两个临界磁场 YBaCuO在电子显微镜下 构成氧化物高温超导体的化学元素昂贵,合成的超导材料脆性大,难以加工成线材,使其应用受到极大的局限 三、BCS理论 电子A 声子 电子B 库珀电子对 电子A 电子B q(声子) 载流子:库柏电子对 巴丁、库柏和施里弗由于提出超导电性的BCS理论获1972年诺贝尔物理学奖,但对于氧化物超导体不能很好的解释,新的理论还有待于新的诺贝尔奖获得者去发现。 BCS理论:电子在晶体中受声子的影响,在低温的情况下,两个电子之间可以通过交换声子而结合形成电子对,使得其由原来的费米子变成波色子,从而由普通导体变成超导体。 超导应用 1、高磁场超导磁体 2、高灵敏度电子器件 绝缘薄膜 超导薄膜 约瑟夫森效应:超导库柏电子对以库柏效应穿越绝缘势垒-超导量子干涉仪,测量磁场变化10-15T 2.7 电性能测量及其应用 1、测量块材的电阻率 双电桥法、电位差计、直流四探针法 2、电阻法分析应用 (1)测量固溶体溶解度曲线 (2)研究合金时效 (3)马氏体转变 (4)疲劳和裂纹扩散 * 2.4 半导体 非金属和金属的使用时间几乎和人类文明社会一样长。石器时代和青铜时代都是利用材料的力学性能-硬度和韧性 半导体的应用只有约100年的时间,而最近50年是其应用最为广泛的时期,伴随着人们对半导体的物理性能逐渐深入了解,不同级别的电子计算机被制造出来,人类进入了信息时代。 人类制造的最强大的工具是计算机,人类制造的所有的电子工具(如各种传感器、机器人)都将以电子计算机为核心,即计算机是顶级工具。人类不再直接操作各种工具,而是通过计算机来操作各种工具。 元素半导体介于金属和非金属之间,现在90%的半导体器件的原材料是Si,未来化合物半导体将会有很大发展 晶体管、微电子线路、集成电路、大规模集成电路不断发展,器件越来越小,速度越来越快。 半导体材料由于奇异的导电特性,实现的最重要的两个功能是 整流:电流的单向通过(二极管) 放大:电信号的放大(三极管) 计算机各种功能的实现都以二进制数据的存储和计算为基础,整流和放大是其物理基础 2.4.1 本征半导体 1、简介(以硅为例) 纯度很高(10-10),可控引入杂质,改善电性能。 禁带宽度是半导体的重要指标,标志其对外界因素的敏感程度。 载流子两种 电子:被激发到导带,在电场下,实现导带间迁移 空穴:电子激发到导带后剩下的空位,吸引其他电 子前来补充,实现空穴-导带电子-空穴迁移 本征半导体是指纯净的半导体。 关键词:载流子迁移 元素半导体 化合物半导体 什么是空穴? 当价带附近的电子被激发到导带后,价带中就留下一些空状态。为方便起见,把价带中的每个空状态看成是一个假想的粒子,称为空穴。 能带理论证明,当价带中波矢量为k的状态空着时(不满?导电),价带中实际存在的那些电子所引起的电流密度j可以用一个携带电荷+q以速度v(k)运动的假想粒子引起的电流密度来代替,该假想粒子就叫空穴。 在半导体中,载流子为电子和空穴,电子带负电荷,空穴带正电荷。 硅的晶体结构 属于面心立方结构 硅

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