020201半导体器件基础绪论.ppt

共价键结构 在本征半导体中，由于原子排列的整齐和紧密，原来属于某个原子的价电子，可以和相邻原子所共有，形成共价键结构。图2-2所示为硅和锗共价键的(平面)示意图。 复合、动态平衡 2．反向特性 二极管的反向特性对应曲线的（2）段，此时二极管加反向电压。 1．额定整流电流IF 2．最高反向工作电压URM 3．反向饱和漏电流和最大反向电流IRM 4．直流电阻RD 5．交流电阻 6．最高工作频率 二极管最高工作频率为是指二极管正常工作时，允许通过交流信号的最高频率。 1．正向、反向特性的测定 2.2.2.2 主要性能参数 7．反向恢复时间 指二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IS时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，反向恢复时间是二极管的一项重要指标。 2.2.2.3 二极管的测试 方法二：用“二极管档”测定 方法一：用“电阻档”测定 第2章 半导体器件基础 本章基本要求 1、了解半导体的基本知识 2、熟悉二极管(PN结)、晶体三极管(BJT)、场效应管(FET)的结构、工作原理、主要参数 3、熟练掌握二极管、BJT、FET的特点、伏安特性及二极管的应用电路及其分析方法。 2.1 半导体基础与PN结 2.1.1 半导体及其特性 　　导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等。 导体：铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体：惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体：硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 （1）热敏性－制成各种热敏元件 （2）光敏性－制成各种光敏元件 （3）掺杂性－制成各种晶体管器件 半导体的三个独特性质: 　　一些半导体对温度的反应很灵敏，其电阻率随着温度的上升而明显地下降，利用这种特性很容易制成各种热敏元件，如热敏电阻、温度传感器等。 　　有些半导体的电阻率随着光照的增强而明显地下降，利用这种特性很容易制成光敏元件，如光敏电阻和光电管等。 　　半导体的电阻率受掺入的“杂质”影响极大，在半导体中即使掺入的杂质十分微量，也能使其电阻率大大地下降，利用这种独特的性质可以制成各种各样的晶体管器件。 2.1.2 本征半导体 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 无杂质 稳定的结构 在温度升高或者外界供给能量下，某些价电子可能获得足够的能量挣脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位，称为“空穴”。空穴可以看成是带正电的粒子。由热激发产生的空穴和自由电子的现象称为本征激发。本征激发时，电子和空穴成对出现。 本征激发 自由电子在电场作用下运动时，也会填补空穴，这种现象成为复合。在本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断复合，故在一定温度下，载流子的热激发和复合达到动态平衡，载流子的数目维持在一定的数目。 本征半导体中的两种载流子 两种载流子 运载电荷的粒子称为载流子。 外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴定向移动，均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。 温度升高，热运动加剧，载流子浓度增大，导电性增强。 热力学温度0K时不导电。 本征半导体的特点： (1) 本征半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。自由电子和空穴成对出现，数目相等。 (2)在一定温度下，载流子的产生过程和复合过程是相对平衡的，载流子的浓度是一定的。 (3)本征半导体中载流子浓度，除了与半导体材料本身的性质有关，还与温度有关，载流子浓度随温度的升高按指数规律增大。 2.1.3 杂质半导体 半导体的导电能力取决于载流子的数目，本征半导体虽然存在两种载流子，但载流子浓度很低，所以，它们的导电能力很差。 若在本征半导体中掺入微量杂质，则导电性能大为改观，掺入百万分之一的杂质，载流子浓度增加1百万倍。掺入杂质的半导体称为杂质半导体。 1. N型半导体 (1) 形成 (2) 特点 自由电子为多数载流子(多子) 空穴为少数载流子 (少子) 本征半导体 N型半导体 磷（5价元素） 2. P型半导体 (1) 形成 (2) 特点 空穴为多数载流子 (多子) 自由电子为少数载流子 (少子) 本征半导体 P型半导体 硼（3价元素） 结论 　　在杂质半导体中，多数载流子的浓度主取决于掺入的杂质浓度。 少数载流子是半导体材料共价键提供的，因而其浓度主要取决于温度。 2.1.4 PN结 N 型半导体 N 型半导体的简化图示