基于气固转变的制备绪论.ppt

等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 在低真空的条件下，利用硅烷气体、氮气（或氨气）和氧化亚氮，通过射频电场而产生辉光放电形成等离子体，以增强化学反应，从而降低沉积温度，可在常温至350℃条件下，沉积氮化硅膜、氧化硅膜、氮氧化硅及非晶硅膜等。 在辉光放电的低温等离子体内，“电子气”的温度约比普通气体分子的平均温度高10～100倍，即当反应气体接近环境温度时，电子的能量足以使气体分子键断裂并导致化学活性粒子（活化分子、离子、原子等基团）的产生，使本来需要在高温下进行的化学反应由于反应气体的电激活而在相当低的温度下即可进行，也就是反应气体的化学键在低温下就可以被打开。所产生的活化分子、原子集团之间的相互反应最终沉积生成薄膜。把这种过程称之为等离子增强的化学气相沉积PCVD或PECVD，称为等离子体化学气相沉积。 电感耦合产生等离子的PECVD装置 等离子体增强CVD装置 激光辅助化学气相沉积（LCVD） 激光化学沉积就是用激光（CO2或准分子）诱导促进化学气相沉积。激光化学气相沉积的过程是激光分子与反应气分子或衬材表面分子相互作用的过程。 按激光作用的机制可分为激光热解沉积和激光光解沉积两种。激光热解沉积用波长长的激光进行，如CO2激光、YAG激光、Ar+激光等，一般激光器能量较高、激光光解沉积要求光子有大的能量，用短波长激光，如紫外、超紫外激光进行，如准分子XeCl、ArF等激光器。 金属有机化学气相沉积（MOCVD） 在MOCVD过程中，金属有机源（MO源）可以在热解或光解作用下，在较低温度沉积出相应的各种无机材料，如金属、氧化物、氮化物、氟化物、碳化物和化合物半导体材料等的薄膜。如今，利用MOCVD技术不但可以改变材料的表面性能，而且可以直接构成复杂的表面结构，创造出新的功能材料。 MOCVD装置 前驱体二乙基碲，二甲基镉由载气H2稀释输运进入反应室，金属Hg作为Hg源置于反应室内，用紫外线照射使其发生光化反应，加速前躯体的分解，可以有效的降低生长温度。 化学气相沉积特点 1)在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相化学反应而形成固体物质沉积在基体上。 　　 2)可以在常压或者真空条件下(负压“进行沉积、通常真空沉积膜层质量较好)。 　　 3)采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行。 　　 4)涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层。 　　 5)可以控制涂层的密度和涂层纯度。 　 6)绕镀件好。可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜。适合涂覆各种复杂形状的工件。由于它的绕镀性能好，所以可涂覆带有槽、沟、孔，甚至是盲孔的工件。 　　 7)沉积层通常具有柱状晶体结构，不耐弯曲，但可通过各种技术对化学反应进行气相扰动，以改善其结构。 　　 8)可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。 CVD技术的应用 CVD法主要应用于两大方向：一是沉积薄膜；二是制取新材料，包括金属、难熔材料的粉末和晶须以及金刚石薄膜、类金刚石薄膜、碳纳米管材料材料等。 目前CVD技术在保护膜层、微电子技术、太阳能利用、光纤通信、超导技术、制备新材料等许多方面得到广泛的应用。 CVD金刚石薄膜 沉积薄膜 ①保护膜层 CVD技术可在工件表面制备超硬耐磨、耐蚀和抗氧化等保护膜层。 ②微电子技术 半导体器件特别是大规模集成电路的制作过程中，半导体膜的外延、p-n结扩散源的形成、介质隔离、扩散掩膜和金属膜的沉积等是其工艺的核心步骤。 CVD在制备这些材料层的过程中逐渐取代了像硅的高温氧化和高温扩散等旧工艺，在现代微电子技术占据了主导地位。 ③光纤通讯 光纤通信由于其容量大、抗电磁干扰、体积小、对地形适应性强、保密性高以及制造成本低等优点，因此得到迅速发展。通信用的光导纤维是用CVD技术制得的石英玻璃棒经烧结拉制而成的。 ④太阳能 利用化学气相沉积和液相外延是最主要的制备技术。 ⑤超导技术 利用CVD生产的Nb3Sn低温超导带材，具有膜层致密，厚度较易控制，力学性能好的特点，是导致高场强小型磁体的最优良材料。 制备新材料 ①CVD制备难熔材料的粉末和晶须 ②CVD法制备金刚石和类金刚石薄膜 金刚石不仅可以加工成昂贵的宝石，在工业中也大有可为。 ③制备碳纳米管 CVD法由于具有工艺条件可控，容易批量生产等优点，自发现以来受到极大关注，成为合成碳纳米管的主要方法之一。 PVD和CVD两种工艺的对比 1、工艺温度高低是CVD和PVD之间的主要区别。温度对于高速钢镀膜具有重大意义。CVD法的工艺温度超过了高速钢的回火温度，用CVD法镀制的高速钢工件，必须进行镀膜后的真空热处理，以恢复硬度。镀后热处理会产生不容许的