电磁场与电磁波基础(第9章)说课.ppt

2005-1-25 第一章 电磁场的数学物理基础 第一课 第一课 第一课 9.1 均匀平面波对分界平面的垂直入射 9.3 均匀平面波对理想介质分界平面的斜入射 9.3.1 反射定律与折射定律 边界条件 入射波（已知）＋反射波（未知） 透射波（未知） 现象：电磁波入射到不同媒质 分界面上时，一部分波 被分界面反射，一部分 波透过分界 面。 均匀平面波垂直入射到两种不同媒质的分界平面 入射方式：垂直入射、斜入射； 媒质类型： 理想导体、理想介质、导电媒质 分析方法： 本节内容 9.1.1 对导电媒质分界面的垂直入射 9.1.2 对理想导体表面的垂直入射 9.1.3 对理想介质分界面的垂直入射 9.1.1 对导电媒质分界面的垂直入射 z x 媒质1： 媒质2： y 沿x方向极化的均匀平面波从 媒质1 垂直入射到与导电媒质 2 的分界平面上。 z 0中，导电媒质1 的参数为 z 0中，导电媒质 2 的参数为 媒质1中的入射波： 媒质1中的反射波： 媒质1中的合成波： 媒质2中的透射波： 在分界面z = 0 上，电场强度和磁场强度切向分量连续，即 定义分界面上的反射系数R 为反射波电场的振幅与入射波电场振幅之比、透射系数T 为透射波电场的振幅与入射波电场振幅之比，则 讨论： R 和T是复数，表明反射波和透射波的振幅和相位与入射波 都不同。 若两种媒质均为理想介质，即电导率= 0，则得到 若媒质2为理想导体，电导率 ?，则 ，故有 9.1.2 对理想导体表面的垂直入射 x 媒质1： 媒质2： z z = 0 y 媒质1为理想介质，电导率＝0 媒质2为理想导体，电导率＝∞ 故 媒质1中的入射波： 媒质1中的反射波： 则 在分界面上，反射波电场与入射波电场的相位差为π 媒质1中合成波的电磁场为 合成波的平均能流密度矢量 瞬时值形式 理想导体表面上的感应电流 合成波的特点 (n = 0,1,2,3,…) (n = 0 ,1,2,3, …) 媒质1中的合成波是驻波。 电场振幅的最大值为2Eim， 最小值为0 ；磁场振幅的最 大值为2Eim /η1，最小值也 为0。 电场波节点（ 的最小值的位置） 电场波腹点（ 的最大值的位置） 坡印廷矢量的平均值为零，不 发生能量传输过程，仅在两个 波节间进行电场能量和磁场能 的交换。 在时间上有π/ 2 的相移。 在空间上错开λ/ 4，电 场的波腹（节）点正好是磁场 的波节腹）点。 两相邻波节点之间任意两点 的电场同相。同一波节点两 侧的电场反相。 例9.1.1 一均匀平面波沿+z 方向传播，其电场强度矢量为 解：(1) 电场强度的复数表示 （1）求相伴的磁场强度 ； （2）若在传播方向上 z = 0处，放置一无限大的理想导体平板， 求区域 z 0 中的电场强度 和磁场强度 ； （3）求理想导体板表面的电流密度。 则 写成瞬时表达式 (2) 反射波的电场为 反射波的磁场为 在区域 z 0 的合成波电场和磁场分别为 (3) 理想导体表面电流密度为 9.1.3 对理想介质分界面的垂直入射 设两种媒质均为理想介质，即 电导率= 0 则 讨论 当η2 η1时，R 0，反射波电场与入射波电场同相。 当η2 η1时，R 0，反射波电场与入射波电场反相。 x 介质 1： 介质 2： z z=0 y 媒质1中的入射波： 媒质1中的反射波： 媒质1中的合成波： 媒质2中的透射波： 合成波的特点 这种由行波和纯驻波合成的波称为行驻波（混合波） —— 合成波电 场 —— 驻波电场 z —— 行波电场 —— 合成波电 场振幅 —— 合成波电 场 z 合成波电场振幅（R 0） 当β1z =－nπ，即 z =－nλ1/ 2 时，有 当β1z =－(2n＋1)π/2，即z =－(n/2+1/4)λ1