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3.质谱分析法的基本原理及结构;
质谱分析法是在高真空系统中测定样品的分子离子及碎片离子质量,以确定样品相对分子质量及分子结构的方法。
化合物分子受到电子流冲击后,形成的带正电荷分子离子及碎片离子,按照其质量 m 和电荷 z 的比值 m/z(质荷比)大小依次排列而被记录下来的图谱,称为质谱。 ;质谱法的基本原理;单聚焦磁质谱的工作原理
质谱法是将样品置于高真空中(<10-3 Pa),并受到高速电子流或强电场等作用,失去外层电子而生成分子离子,或化学键断裂生成各种碎片离子,然后将分子离子和碎片离子引入到一个强的正电场中,使之加速,加速电位通常用到6~8kV,此时可认为各种带正电荷的离子都有近似相同的动能。;在质量分析(或分离)器中,各种离子就按照质核比m/z的大小顺序被分开。质谱仪的出射狭缝的位置是固定的,只有离子的运动半径R与质量分析器的半径Rs相等时,离子才能通过出射狭缝到达检测器。
一般采用固定加速电压V而连续改变磁场强度B(称为磁场扫描)的方法获得质谱。;质谱仪的结构;
;一、进样系统
作用:将待测物质(即试样)送进离子源。
进样方式:
直接进样
通过直接进样杆,将纯样或混合样直接进到离子源内或经注射器由毛细管直接注入。
间接进样
经GC或HPLC分离后进到质谱的离子源内。
;
离子源的作用是将被分析的样品分子电离成带电的离子,并使这些离子在离子光学系统的作用下,会聚成有一定几何形状和一定能量的离子束,然后进入质量分析器被分离。
常见的离子源有以下几种:
电子轰击电离源(EI)
化学电离源(CI)
场致电离源(FI)
场解析电离源(FD)
快原子轰击电离源(FAB)
激光解析电离源(LD)
电喷雾电离源(ESI);1. 电子电离源(EI)
原理:
用电加热铼或钨丝至2000℃,产生10~70eV的高速电子束,与进入电离室的试样分子发生碰撞,若电子的能量大于试样分子的电离电位,将导致试样分子的电离。试样分子M失去一个电子形成的M+称为分子离子。所需能量为15~20eV。
当具有更高能量(如70eV )的电子轰击有机化合物分子时,就会使分子中的化学键断裂,生成各种低质量数的碎片离子和中性自由基。;
;应用强电场诱导样品电离:
(电压:7~10kV,d1mm)
过程:样品蒸汽邻近或接触带高的正电位的阳极尖端时,由于高曲率半径的尖端处产生很强的电位梯度,使样品分子电离.;过 程:样品溶液涂于发射器表面—强电场—分子电离—奔向阴极—引入磁场
特 点:特别适于非挥发性且分子量高达10,0000的分子。样品只产生分子离子峰和准分子离子峰,谱图最为简单。
;三、质量分析器;四、检测器和记录系统
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